具有改进的装置特性的原生装置及制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术呈现一种用于制造原生装置的方法。所述方法包含：在衬底上形成栅极结构，其在内标记区的外边缘处开始，其中所述栅极结构在纵向方向上延伸；以及执行MDD植入，其中使用相对于所述栅极结构的不同定向来执行每一植入；执行袋植入，其中使用相对于所述栅极结构的不同定向来执行每一植入，且所述袋植入的浓度基于所述定向而变化。本发明专利技术呈现一种制造为原生装置的晶体管，其包含：内标记区；有源外区，其环绕所述内标记区；栅极结构，其耦合到所述内标记区；以及第一和第二源极/漏极植入，其位于所述有源外区内，且插入所述第一源极/漏极植入与所述第二源极/漏极植入之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所揭示的实施例大体上是针对半导体装置及其制造。更明确地说，实施例涉及用沟道中具有降低的掺杂剂浓度的袋植入制造的原生装置。
技术介绍
原生装置可包含可在如常规MOS晶体管中发现的在沟道区中不具有阈值调整掺杂剂的情况下形成的NMOS晶体管。举例来说，可在不具有通常用于常规NMOS装置中的PWELL和VTN植入的情况下制造原生NMOS晶体管。阈值调整掺杂剂的此消除可改进电荷载流子在沟道内的移动性。增加的移动性可降低阈值电压(VT)和体效应，且进一步增加装置的跨导(gm)，这可对模拟和混合信号应用有益。常规原生装置通常还包含袋植入(也称为晕植入)以控制短沟道效应。然而，通 过缩短装置尺寸和使用较重的袋植入，原生装置的沟道移动性正降低。因此，使用原生制造来实现低VT和高gm正变得越来越困难。此外，此降低的移动性还可增加邻近装置之间的特性的变化。总之，袋植入的重掺杂可违反使用原生制造方法的初衷。因此，需要用于原生装置的制造技术，其可降低装置沟道内的掺杂剂浓度以维持低阈值电压、高跨导以及所制造装置之间的改进的一致性。
技术实现思路
本专利技术的所揭示实施例是针对用于制造具有改进的装置特性的原生装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙尚克·S·埃克布特，张荣田，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：