用于防止气体混合的大面积沉积装置制造方法及图纸

公开了一种用于防止气体混合的大面积沉积装置。本发明专利技术涉及的用于防止气体混合的大面积沉积装置使用了多重管结构的喷嘴，将每种气体供给到不同的喷嘴，因此气体从腔室喷出时，均匀混合之后，向腔室内部均匀喷出。即，能够利用简单结构来防止气体在流入腔室内部之前混合，而且使气体均匀混合之后向腔室内部均匀喷射，从而具有降低成本的效果。此外，喷嘴左右振动的同时喷射气体，因此气体更加均匀地混合之后向腔室内部的基板更加均匀地喷出，从而提高在基板上沉积的膜的品质。而且，可以分别拆卸各喷嘴进行维修或清洗，从而具有易于进行维护作业的效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于防止气体混合的大面积沉积装置，具体涉及一种防止气体在流入腔室内部之前彼此混合的同时，在气体彼此均匀混合之后向腔室内部均匀喷射的用于防止气体混合的大面积沉积装置。
技术介绍
通过化学气相沉积法(CVD Chemical Vapor Deposition)的薄膜沉积技术在半导体元件的绝缘层和有源层、液晶显示元件的透明电极、发光显示元件的发光层和保护层等各种应用领域非常重要。一般，通过CVD沉积的薄膜的物理特性很容易受到沉积压力、沉积温度、沉积时间等工艺条件。例如，随着沉积压力的变化，被沉积薄膜的组成、密度、粘合强度和沉积速度等 有可能改变。化学气相沉积法可以分为低压化学气相沉积法(LPCVD :Low Pressure ChemicalVapor Deposition)、常压化学气相沉积 S(APCVD Atmospheric Pressure ChemicalVapor Deposition)、低温化学气相沉积法(LTCVD :Low Temperature Chemical VaporDeposition)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD Plasma本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆镐，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：
国别省市：