公开了一种用于防止气体混合的大面积沉积装置。本发明专利技术涉及的用于防止气体混合的大面积沉积装置使用了多重管结构的喷嘴，将每种气体供给到不同的喷嘴，因此气体从腔室喷出时，均匀混合之后，向腔室内部均匀喷出。即，能够利用简单结构来防止气体在流入腔室内部之前混合，而且使气体均匀混合之后向腔室内部均匀喷射，从而具有降低成本的效果。此外，喷嘴左右振动的同时喷射气体，因此气体更加均匀地混合之后向腔室内部的基板更加均匀地喷出，从而提高在基板上沉积的膜的品质。而且，可以分别拆卸各喷嘴进行维修或清洗，从而具有易于进行维护作业的效果。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于防止气体混合的大面积沉积装置，具体涉及一种防止气体在流入腔室内部之前彼此混合的同时，在气体彼此均匀混合之后向腔室内部均匀喷射的用于防止气体混合的大面积沉积装置。
技术介绍
通过化学气相沉积法(CVD Chemical Vapor Deposition)的薄膜沉积技术在半导体元件的绝缘层和有源层、液晶显示元件的透明电极、发光显示元件的发光层和保护层等各种应用领域非常重要。一般，通过CVD沉积的薄膜的物理特性很容易受到沉积压力、沉积温度、沉积时间等工艺条件。例如，随着沉积压力的变化，被沉积薄膜的组成、密度、粘合强度和沉积速度等 有可能改变。化学气相沉积法可以分为低压化学气相沉积法(LPCVD :Low Pressure ChemicalVapor Deposition)、常压化学气相沉积 S(APCVD Atmospheric Pressure ChemicalVapor Deposition)、低温化学气相沉积法(LTCVD :Low Temperature Chemical VaporDeposition)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)、金属有机化学气相沉积法(M0CVD Metal Organic Chemical VaporDeposition)等。其中，MOCVD是作为前驱体(Precursor)利用金属有机化合物(Metal OrganicCompound),向在腔室内被加热的基板表面送入高蒸汽压的金属有机化合物蒸汽,从而使所需薄膜生长的技术。MOCVD步阶覆盖(St印Coverage)效果优异，也不损伤基板或晶体表面，因此能够生长出高纯度和高品质的薄膜。此外，沉积速度较快，从而能够缩短工艺时间，因此生产率也闻。
技术实现思路
现有的MOCVD装置，为了喷射出均匀的气体需要形成有很多微细孔的喷头，因此存在成本上升的问题。特别是，现有的MOCVD装置，为了防止沉积薄膜时使用的两种以上的气体在喷射之前混合而导致在不必要的位置形成沉积，需要将喷头加工成更加复杂的形状。因此存在MOCVD装置的成本进一步上升的问题。此外，现有的MOCVD装置，由于喷头的气体喷射孔被堵塞而需要维修或清洗时，需要拆卸整个喷头，因此存在不方便维护的问题。本专利技术是为了解决所述现有技术的问题而提出的，本专利技术的目的在于，提供一种能够以简单结构来防止气体在流入腔室之前彼此混合的同时，气体均匀混合之后均匀喷射到腔室内部，从而能够降低成本的用于防止气体混合的大面积沉积装置。本专利技术的另一目的在于，提供一种便于维护的用于防止气体混合的大面积沉积装置。为了实现所述目的，本专利技术涉及的用于防止气体混合的大面积沉积装置，其特征在于，包括腔室，提供用于向基板沉积规定物质的沉积空间；多个供给口，设在所述腔室的一侧，并向所述腔室内部供给气体；多个供给管，配置在所述腔室内部，并连接于各所述供给口 ；以及多个喷嘴，配置在投放于所述腔室的所述基板的上方，并沿所述各供给管连接，且彼此交替配置，从而向所述基板的上表面交替喷射不同的气体。本专利技术涉及的用于防止气体混合的大面积沉积装置，使用了多重管结构的喷嘴，将每种气体供给到彼此不同的喷嘴，因此气体从腔室喷出时，均匀混合而向腔室内部均匀喷出。即，能够利用简单结构来防止气体在流入腔室内部之前混合，而且使气体均匀混合之后向腔室内部均匀喷射，从而具有降低成本的效果。此外，喷嘴在左右振动的同时喷出气体，因此气体更加均匀地混合，更加均匀地向腔室内部的基板喷射，从而具有提高沉积膜质量的效果。·此外，可以分别拆卸各喷嘴进行维修或清洗，从而具有易于进行维护作业的效果。附图说明图I是本专利技术的一实施例涉及的用于防止气体混合的大面积沉积装置的俯视图。图2是图I的“ I - I ”线剖视图。图3是图2的“X”部放大图。图4是图2的“Y”部放大图。图5是本专利技术的一实施例涉及的用于防止气体混合的大面积沉积装置的供给管的立体图。图6是图5所示的一个供给管和喷嘴的立体图。图7是图I的“ II - II ”线剖视图。图8是图6所示的喷嘴的剖视图。图9是图8所示的连接器部位的局部剖开立体图。图10是图5的俯视图。具体实施例方式下面，参照附图和能够实施本专利技术的具体实施例详细说明本专利技术。为了使本领域的技术人员能够充分实施，详细说明这些实施例。应理解为，本专利技术的各种实施例彼此不同，但相互并不排斥。例如，这里所记载的一实施例的具体形状、具体结构和特性，在不脱离本专利技术精神和范围的情况下，也可以由其他实施例来实现。另外，应理解为，各自公开的实施例中的个别构成要素的位置或配置，在不脱离本专利技术精神和范围的情况下也可进行变更。因此，后述的详细说明并无限定之意，准确地说明，本专利技术的保护范围仅以权利要求书所记载的内容为准，包含与其权利要求所主张的内容等同的所有范围。为方便起见，也有可能夸张地表现出附图所示的实施例的长度、面积、厚度及形态。下面，参照附图详细说明本专利技术的构成。参照图I和图2，本专利技术的一实施例涉及的用于防止气体混合的大面积沉积装置包括腔室C ;基座(Susceptor)S,设在腔室C内部，具有加热基板A的加热器的功能；闸阀G，设在腔室C的一侧，允许基板A出入；真空泵(未图示)，配置在腔室C的外侧，用于排出腔室C内部的空气。除了为了使基板A出入而打开闸阀G之外，腔室C提供用于在基板A上沉积规定物质的密闭空间。基板A被放置在多个销P上进行沉积。在腔室C内部的上侧部位设有多个供给气体的供给口 100，而在腔室C内部配置有多个供给管110，该多个供给管110与各供给口 100连接并接收沉积气体。供给管110是供气体或蒸汽等流过的管道。在供给管110的下方设有多个喷嘴120。喷嘴120是形成有孔的管道，以能够使在供给管110内部移动的气体向外部喷出。喷嘴120配置在腔室C内部的基板A的上方，并沿着各供给管110交替配置，从而向基板A的上表面交替供给不同的气体。 喷嘴120在基板A的上方成排地密集配置，从而向大面积的基板A均匀喷射沉积气体。从喷嘴120喷射的彼此不同的气体在喷出的同时喷射区域相互重叠，因此彼此被混合。而且，在大面积的基板A上以均匀的厚度沉积。参照图I至图4，在腔室C的上面部具有振动气缸130，该振动气缸130用于使喷嘴120在大面积的基板A上以一定速率振动，从而提高不同气体混合并沉积在基板A上的效率。为了能够使喷嘴120振动，气缸130与喷嘴120机械连接。S卩，气缸130上连接有轴杆135和喷嘴支架140，该轴杆135与气缸130的行程相对应地进行线性移动，该喷嘴支架140与轴杆135交叉结合，并将轴杆135的振动位移传递给喷嘴120。气缸130可以用具有能够电振动的轴的振动电机来代替。此外，气缸130可以用能够将电机的旋转运动变换为机械的往复运动的往复机构来代替。即，气缸130是提供使喷嘴振动的往复运动的驱动器。此时，可以在腔室C上设置多个轴杆135。如图所示，可以在腔室C的上面设置三个轴杆135。在三个轴杆135中，左侧的两个连接在气缸130以及下方的喷嘴支架140上，而右侧的另一个仅与位于下方的喷嘴支架140连接。可对轴杆135和本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：李庆镐，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：
国别省市：
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