【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体薄膜制备
，尤其涉及一种制备非极性A面GaN薄膜的方法。
技术介绍
氮化镓(GaN)属于第三代半导体材料，属六角纤锌矿结构，是半导体照明中发光二极管、短波长激光器、紫外探测器及高温大功率器件的核心组成部分，在工业上一般采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)来进行制备。自然界缺乏天然的GaN体单晶材料，目前的工作主要在蓝宝石、SiC,Si等衬底上进行异质外延进行的。由于GaN和衬底间的晶格失配和热失配，导致异质外延GaN薄膜中具有高的位错密度，导致其应变和应力大大提高，从而极大地影响了其性能。以在蓝宝石衬底上生长非极性A-GaN为例，非极性A-GaN与蓝宝石沿GaN方向的晶格失配为1%，沿[1-100]方向的晶格失配为16%，热失配分别为-72%和-25 %。从生长温度降到室温时热失配沿方向的应变为-2. 6X10_3，而沿[1-100]方向的应变为-I. 8 X 10_3，其相应的应力分别为-O. 74GPa和-I. IlGPa,因此异质外延很难得到结晶质量优异的薄膜。近几年的研究主要集中在如何提高非极性A面GaN薄膜的外延质量上。人们采用...
【技术保护点】
一种制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，包括：在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜；在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性A面GaN薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，包括 在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜； 在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性A面GaN薄膜。2.根据权利要求I所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述A面ZnO缓冲薄膜的厚度介于IOnm至IOOnm之间。3.根据权利要求2所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，采用金属有机物化学气相沉积法制备所述A面ZnO缓冲薄膜。4.根据权利要求3所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述采用金属有机物化学气相沉积法制备A面ZnO缓冲薄膜的步骤中反应源为二乙基锌和氧气，载气为氮气。5.根据权利要求4所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述采用金属有机物化学气相沉积法来制备A面ZnO缓冲薄膜的步骤中，反应参数为二乙基锌的流量为22 μ mol/min ;氧源O2的流量为ISLM ;生长温度为550°C ;反应室压力为76Torr。6.根据权利要求5所述的制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，所述采用金属有机物化学气相沉积法来制备A面ZnO缓冲薄膜的步骤之后还包括 生长温度和反应室压力保持不变，将制备A面ZnO缓冲薄膜的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘建明，桑玲，赵桂娟，刘长波，王建霞，魏鸿源，焦春美，刘祥林，杨少延，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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