结构体、及半导体基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种结构体，其具备：蓝宝石的基底基板、和配置在上述基底基板上的III族氮化物半导体的半导体层，上述基底基板的上表面是自属于{1-100}面群的m面相对于与上述m面正交且属于{11-20}面群的a面的法线以0.5°以上且4°以下的角度倾斜的结晶面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
III族氮化物半导体作为下一代的低耗电型的照明、高频/高功率电子设备用的材料备受瞩目。III族氮化物半导体被应用于紫外/蓝色/绿色/白色发光二级管、紫外/蓝色/绿色激光二级管、高频/高功率电子设备等中。特别是在照明用途中，作为荧光灯的替代品对高功率的发光二级管的制作方法进行了深入研究。在基底基板上生长III族氮化物半导体时，基底基板的上表面多被定为{0001}面群的面。生长在该{0001}面群的面上的III族氮化物半导体由于III族原子与V族原子之间的自发极化效应、或者起因于III族原子的原子间距离与V族原子的原子间距离之差 大而引起的压电场效应(Piezoelectric field effect)的影响,存在其特性降低的倾向。即，在III族氮化物半导体用于发光二级管、激光二级管等发光元件中时，由于产生量子阱内的载流子的空间的分离，活性层中的载流子的发光再结合受到阻碍，所以存在发光元件的效率降低的倾向。与此相对，提出了使用没有极性的(无极性的){1-100}面群的面、{-12-10}面群的面、或极性小的(半极性的){10-12}面群的面作为基底基板的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：八百隆文，李贤宰，藤井克司，
申请(专利权)人：八百隆文，
类型：
国别省市：