碳化硅外延晶片及其制造方法、外延生长用碳化硅块状衬底及其制造方法以及热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及碳化硅功率器件等所使用的碳化硅外延晶片及其制造方法、外延生长用碳化硅块状衬底及其制造方法以及用于将碳化硅块状衬底进行热处理的热处理装置。
技术介绍
与硅(下面称为“Si”)相比，碳化硅(下面称为“SiC”)的能带隙较大，另外，绝缘破坏电场强度、饱和电子速度及导热率等物理参数优异，作为半导体功率器件材料，具有优异的性质。特别是，在使用了该SiC的功率器件中，可以形成大幅度降低功率损失及小型化等，可实现电源功率变换时的节省能源化，因此，在电动车的高性能化、太阳能电池系统等高功能化等、实现低碳社会的基础上，具有成为关键器件的可能性。 当制造SiC功率器件的时候，必须通过预热CVD法(热化学气相沉积法)等在SiC块状衬底上外延生长半导体器件的活性区域。在此，活性区域是指包含精密地控制晶体中的掺杂密度及膜厚而制作的生长方向轴的截面区域。在块状衬底上必须形成这种外延生长层的理由是因为，掺杂浓度及膜厚大体上由器件的设计规格所规定，另外，通常要求比块状衬底的掺杂浓度更高精度的控制性。下面，将在SiC块状衬底上形成有外延生长层的晶片称为外延晶片。SiC器件通过对外延晶片施加各种各样的加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：富田信之，浜野健一，多留谷政良，三谷阳一郎，黑岩丈晴，今泉昌之，炭谷博昭，大塚健一，古庄智明，泽田隆夫，阿部雄次，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：