外延基板以及外延基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种将硅基板作为基底基板且无裂纹的外延基板。在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其特征在于，所述外延基板包括：缓冲层，其连续层叠多个层叠单位；结晶层，形成在缓冲层之上。所述层叠单位包括：组分调制层，其通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；末端层，其形成在组分调制层的最上部，用于维持组分调制层内部存在的压缩应变；应变强化层，形成在末端层之上，用于强化组分调制层内部存在的压缩应变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体元件用的外延基板，尤其涉及使用III族氮化物构成的外延基板。
技术介绍
氮化物半导体由于具有直接迁移型的宽带隙(band gap)、高绝缘击穿电场以及高饱和电子速度，所以作为LED或LD等的发光器件，或HEMT(High Electron Mobility Transistor)等高频率/大功率的电子器件用半导体材料而受到关注。例如，将由AlGaN构成的势垒层和由GaN构成的沟道层层叠而成的HEMT (高电子迁移率晶体管)元件是利用以下特征的元件根据氮化物材料特有的强极化效应(自发极化效应和压电极化效应)在层叠界面(异质界面)上生成高浓度的二维电子气(2DEG)(例如，参照非专利文献I)。作为在HEMT元件用外延基板中采用的基底基板，有时使用如SiC这样的组分与III族氮化物不同的单晶(异种单晶)。此时，通常应变超晶格层或低温生长缓冲层等的缓冲层作为初始生长层在基底基板之上形成。由此，在基底基板之上外延形成势垒层、沟道层以及缓冲层，成为使用了由异种单晶构成的基底基板的HEMT元件用基板的最基本的构成方式。除此之外，为了促进二维电子气的空间上的封闭性，有时还在势垒层和沟道层之间设置厚度为Inm左右的隔离层。隔离层由例如AlN等构成。进而，为了控制HEMT元件用基板的最表面的能级和改善与电极的接触特性，有时还在势垒层之上形成例如由η型GaN层或超晶格层构成的保护层。对于HEMT元件以及HEMT元件用的基板，存在功率密度增大、高效率化等与性能提高相关的课题、常闭动作化等与功能性增强相关的课题、高可靠性和低成本化这些基本课题等各种课题，并针对每个课题做了不懈的努力。另一方面，为了实现外延基板的低成本化，进而实现硅系电路器件之间的集成化等，进行了如下研究和开发，即，在制作如上述这样的氮化物器件时将单晶硅用作基底基板(例如，参照专利文献I至专利文献3，以及非专利文献2)。在作为HEMT元件用外延基板的基底基板选择了如娃这样的导电性的材料的情形下，从基底基板的背面赋予场板(fieldplate)效果，因此可设计能够实现高耐电压和高速开关的HEMT元件。另外，为了将HEMT元件用外延基板做成高耐电压结构，已经公知增加沟道层和势垒层的总膜厚或提高两层的绝缘击穿强度是有效的(例如，参照非专利文献2)。另外，还公知有如下的半导体器件的制造方法在Si基底基板之上形成由AlN构成的夹层,接着，以交替但整体产生凸弯曲的方式形成由GaN构成的第一半导体层和由AlN构成的第二半导体层，并在之后降温时使这些层收缩，其结果，消除基板整体的弯曲(例如，参照专利文献4)。然而，与使用蓝宝石基板或SiC基板的情形相比较，已知由于如下原因在硅基板上形成优质的氮化物膜是非常困难的。首先，在硅和氮化物材料中，在晶格常数的值上存在很大差异。这成为在硅基板和生长膜的界面上发生失配位错(misfit dislocation),或在从核形成到生长的时机中促进三维生长模式的主要原因。换言之，成为阻碍形成位错密度小且表面平坦的良好的氮化物外延膜的主要原因。另外，与硅相比，氮化物材料的热膨胀系数的值大，因此，在硅基板上以高温使氮化物膜外延生长后，在使温度降低至室温附近的过程中，在氮化物膜内拉伸应力起作用。其结果，在膜表面上容易产生裂纹，并且基板容易产生较大弯曲。除此之外，还已知在气相生长中的作为氮化物材料的原料气体的三甲基镓(TMG :Trimethyl gallium)容易形成娃和液相化合物,而成为妨碍外延生长的主要原因。在使用专利文献I至专利文献3以及非专利文献I中所公开的现有技术的情形下，能够使GaN膜在硅基板上外延生长。然而，所得到的GaN膜的结晶质量决不比将SiC或蓝宝石用作基底基板的情形好。因此，在使用现有技术来制作例如HEMT这样的电子器件的情形下，存在电子迁移率低、断开时产生漏电流或耐压降低这样的问题。 另外，在专利文献4中所公开的方法中，由于特意在器件制作的途中产生较大的凸弯曲，所以因层形成条件的不同，有可能会在器件制作途中产生裂纹。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开平10-163528号公报专利文献2 日本特开2004-349387号公报专利文献3 :日本特开2005-350321号公报专利文献4 日本特开2009-289956号公报非专利文献非专利文献I : " Highly Reliable 250W GaN High ElectronMobilityTransistor Power Amplifier" Toshihide Kikkawa,Jpn. J. Appl. Phys. 44,(2005),4896.非专利文献2 " High power AlGaN/GaN HFET with a highbreakdown voltageof over I. 8kV on 4inch Si substrates and thesuppresion of current collapse",Nariaki Ikeda, Syuusuke Kaya, Jiang Li, Yoshihiro Sato, Sadahiro Kato, SeikohYoshida, Proceedings of the 20th International Symposium on PowerSemicoductorDevices & IC' s May 18-22,20080ralando, FL" , pp.287-290
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种将硅基板作为基底基板且无裂纹的外延基板。解决课题的方法本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种将硅基板作为基底基板且无裂纹的外延基板。为解决上述课题，本专利技术的第一方案的外延基板，在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与所述基底基板的基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其特征在于，所述外延基板包括缓冲层，其连续层叠多个层叠单位，结晶层，形成在所述缓冲层之上；所述层叠单位包括组分调制层，其通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变，末端层，其形成在所述组分调制层的最上部，用于维持所述组分调制层内部存在的所述压缩应变，应变强化层，形成在所述末端层之上，用于强化所述组分调制层内部存在的所述压缩应变。在本专利技术的第二方案中，在第一方案所述的外延基板的基础上，与构成所述第一单位层的第一 III族氮化物相比，构成所述第二单位层的第二 III族氮化物在无应变状态下的面内晶格常数大，各所述第二单位层相对于所述第一单位层形成共格状态。本专利技术的第三方案中，在第二方案所述的外延基板的基础上，所述末端层由所述第一 III族氮化物形成为大于所述第一单位层的厚度。本专利技术的第四方案中，在第三方案所述的外延基板的基础上，所述应变强化层具有中间层，所述中间层由第三III族氮化物构成并相对于所述末端层形成共格状态。本专利技术的第五方案中，在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001) 结晶面与所述基底基板的基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，其特征在于，所述外延基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三好实人，角谷茂明，市村干也，前原宗太，田中光浩，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：
国别省市：