外延基板以及外延基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种将硅基板作为基底基板且无裂纹的外延基板。在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其特征在于，所述外延基板包括：缓冲层，其连续层叠多个层叠单位；结晶层，形成在缓冲层之上。所述层叠单位包括：组分调制层，其通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；末端层，其形成在组分调制层的最上部，用于维持组分调制层内部存在的压缩应变；应变强化层，形成在末端层之上，用于强化组分调制层内部存在的压缩应变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体元件用的外延基板，尤其涉及使用III族氮化物构成的外延基板。
技术介绍
氮化物半导体由于具有直接迁移型的宽带隙(band gap)、高绝缘击穿电场以及高饱和电子速度，所以作为LED或LD等的发光器件，或HEMT(High Electron Mobility Transistor)等高频率/大功率的电子器件用半导体材料而受到关注。例如，将由AlGaN构成的势垒层和由GaN构成的沟道层层叠而成的HEMT (高电子迁移率晶体管)元件是利用以下特征的元件根据氮化物材料特有的强极化效应(自发极化效应和压电极化效应)在层叠界面(异质界面)上生成高浓度的二维电子气(2DEG)(例如，参照非专利文献I)。作为在HEMT元件用外延基板中采用的基底基板，有时使用如SiC这样的组分与III族氮化物不同的单晶(异种单晶)。此时，通常应变超晶格层或低温生长缓冲层等的缓冲层作为初始生长层在基底基板之上形成。由此，在基底基板之上外延形成势垒层、沟道层以及缓冲层，成为使用了由异种单晶构成的基底基板的HEMT元件用基板的最基本的构成方式。除此之外，为了促进二维电子气的空间上的封闭性，有时还在势垒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三好实人，角谷茂明，市村干也，前原宗太，田中光浩，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：
国别省市：