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本发明呈现一种用于制造原生装置的方法。所述方法包含：在衬底上形成栅极结构，其在内标记区的外边缘处开始，其中所述栅极结构在纵向方向上延伸；以及执行MDD植入，其中使用相对于所述栅极结构的不同定向来执行每一植入；执行袋植入，其中使用相对于所述栅...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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