本发明专利技术公开了一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、涂硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述涂硼工序中硼液配比：乙二醇乙醚:三氧化二硼=10:4；所述在涂硼和双面喷砂之间增加高温扩散工序。本发明专利技术节约动力费用和人工费用，而且性能有明显的提高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二极管制造的深扩散工艺，具体是一种由以下步骤制作的工艺原硅片清洗、排磷纸、涂硼、高温扩散、镀镍前清洗、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍。该工艺适用于二极管制造的深扩散工艺。
技术介绍
传统的二极管芯片制作工艺为以下步骤原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍。此工艺繁杂繁琐，费时费力，且传统工艺中在扩硼前需进行一次喷砂，经喷砂后硅片表面的硅粉和杂质混合在一起吸附在表面，是不易处理的，在高温下，杂质会扩散到PN结处，影响电性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种二极管制造的深扩散工艺，所制得的芯片性能强。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成所述涂硼工序中硼液体积配比乙二醇乙醚三氧化二硼=10:4 ； 所述在涂硼和双面喷砂工艺之间增加高温扩散工序，所述高温扩散工序为将第一个载有硅片的石英舟置于炉口用600°C的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260-1262°C的恒温区后半段，将第二舟置于炉口用600°C的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260-1262°C的恒温区前半段； 调整扩散炉升温速率为5°C /min升温到1262°C，等温度升到1262°C时，开始计时，恒温时间由工程人员确定，降温至600°C并保持该恒温以待下次扩散，用石英钩将第二舟逐渐拉出，每5min拉出5cm,拉至炉口冷却15min后取下,放在石英托架上自然冷却待分片，用上述同样的方法将第一舟从石英管内拉出待分片。本专利技术的优点在于本专利技术节约动力费用和人工费用；在高温前尽量减少有杂质产生的环节，在正常清洗后直接进行磷硼扩散这样对性能有明显的提高。具体实施例方式本专利技术的具体步骤如下 首先，对原娃片进行清洗将娃片置于混酸中60秒后纯水冲洗5-10min,然后进入氢氟酸中5±0. lmin，再用常温纯水冲洗5-10min，接着将硅片置于哈摩粉溶液中，用频率为2. 8KHZ的超声波超声清洗20 ± Imin，纯水常规冲洗后进行热纯水超声清洗20 ± Imin，最后纯水冲洗5-10min，结束清洗，最后，用常温IPA溶液进行两次脱水，每次脱水时间为2±0.1min，完成本工序。第二步，排磷纸用镊子取出一片磷纸放在花篮任意一侧的第I片和第2片硅片之间，依次类推摆放，小心取下夹有磷纸的硅片将其整齐放在挡片上，排好硅片后用挡片塞紧进低温炉。第三步，涂硼将涂硼专用美术笔头浸入小玻璃瓶中，沾适量的硼液，然后在旋转的硅片未涂硼的一面均匀地涂上一层硼液(硼液按体积比乙二醇乙醚三氧化二硼=10:4)，由旋转的硅片外缘向内，涂至中心，取下涂好的硅片，置于电热板上，以220——250°C的温度烘5-8min，取下硅片后，在附磷面上均匀轻洒适量的铝粉，然后将硅片叠于石英舟上，并在整叠硅片的两端须放上适量的挡片。叠好硅片的石英舟前后挡板用挡片塞紧。第四步，高温扩散将第一个载有硅片的石英舟置于炉口预热30min，用石英钩将石英舟推至恒温区后半段，将第二舟置于炉口预热30min，用石英钩将石英舟推至恒温区前半段，调整扩散炉升温速率为5°C /min升温到1262°C，等温度升到1262°C时开始恒温，恒温时间为120(Tl500min，然后降温至600°C并保持该温度恒温以待下次扩散；用石英钩将第二舟逐渐拉出，每5min拉出5cm,拉至炉口冷却15min后取下,放在石英托架上自然冷却待分片，用上述同样的方法将第一舟从石英管内拉出待分片。第五步，双面喷砂按上述单面喷洒的步骤，以每支喷枪的压力为O. 9-1. 3Kg/cm2,回砂震荡和吸着震荡子的压力为2-4Kg/cm2的条件下操作。第六步,镀镍前清洗混酸溶液中浸5秒，然后用纯水清洗5-10min，再用哈摩粉溶液超声清洗两次，每次的时间为20±0. lmin，每次清洗完后均要用纯水清洗一次，纯水清洗时间为5-10min。上述清洗步骤完毕后，用热纯水继续超声清洗20 ± Imin并紧接着纯水冲洗5-10min，然后浸氢氟酸5分钟，最后再用常温纯水常规冲洗一遍即可。完成上述步骤后，进行常规的一次镀镍、合金和二次镀镍，芯片即制作完毕。由本工艺所制得的芯片，其费用和性能与传统工艺对比如下权利要求1.一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成原硅片清洗、排磷纸、涂硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于 所述涂硼工序中硼液体积配比乙二醇乙醚三氧化二硼=10:4 ； 所述在涂硼和双面喷砂工艺之间增加高温扩散工序，所述高温扩散工序为将第一个载有硅片的石英舟置于炉口用600°C的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260-1262°C的恒温区后半段，将第二舟置于炉口用600°C的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260-1262°C的恒温区前半段； 调整扩散炉升温速率为5°C /min升温到1262°C，等温度升到1262°C时，开始计时，恒温时间由工程人员确定，降温至600°C并保持该恒温以待下次扩散，用石英钩将第二舟逐渐拉出，每5min拉出5cm,拉至炉口冷却15min后取下,放在石英托架上自然冷却待分片，用上述同样的方法将第一舟从石英管内拉出待分片。全文摘要本专利技术公开了一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成原硅片清洗、排磷纸、涂硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于所述涂硼工序中硼液配比乙二醇乙醚:三氧化二硼=10:4；所述在涂硼和双面喷砂之间增加高温扩散工序。本专利技术节约动力费用和人工费用，而且性能有明显的提高。文档编号H01L21/329GK103000500SQ20121041277公开日2013年3月27日 申请日期2012年10月25日 优先权日2012年10月25日专利技术者陶小鸥, 曹孙根 申请人:南通康比电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、涂硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述涂硼工序中硼液体积配比:乙二醇乙醚:三氧化二硼=10:4；所述在涂硼和双面喷砂工艺之间增加高温扩散工序，所述高温扩散工序为：将第一个载有硅片的石英舟置于炉口用600℃的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260?1262℃的恒温区后半段，?将第二舟置于炉口用600℃的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260?1262℃的恒温区前半段；调整扩散炉升温速率为5℃/min升温到1262℃，等温度升到1262℃时，开始计时，恒温时间由工程人员确定，降温至600℃并保持该恒温以待下次扩散，用石英钩将第二舟逐渐拉出，每5min拉出5cm，拉至炉口冷却15min后取下，放在石英托架上自然冷却待分片，用上述同样的方法将第一舟从石英管内拉出待分片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陶小鸥，曹孙根，
申请(专利权)人：南通康比电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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