【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二极管制造的深扩散工艺，具体是一种由以下步骤制作的工艺原硅片清洗、排磷纸、涂硼、高温扩散、镀镍前清洗、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍。该工艺适用于二极管制造的深扩散工艺。
技术介绍
传统的二极管芯片制作工艺为以下步骤原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍。此工艺繁杂繁琐，费时费力，且传统工艺中在扩硼前需进行一次喷砂，经喷砂后硅片表面的硅粉和杂质混合在一起吸附在表面，是不易处理的，在高温下，杂质会扩散到PN结处，影响电性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种二极管制造的深扩散工艺，所制得的芯片性能强。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成所述涂硼工序中硼液体积配比乙二醇乙醚三氧化二硼=10:4 ； 所述在涂硼和双面喷砂工艺之间增加高温扩散工序，所述高温扩散工序为将第一个载有硅片的石英舟置于炉口用600°C的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260-1262°C的恒温区后半段，将第二舟置于炉口用60...
【技术保护点】
一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、涂硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述涂硼工序中硼液体积配比:乙二醇乙醚:三氧化二硼=10:4；所述在涂硼和双面喷砂工艺之间增加高温扩散工序，所述高温扩散工序为：将第一个载有硅片的石英舟置于炉口用600℃的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260?1262℃的恒温区后半段，?将第二舟置于炉口用600℃的温度预热30min，用石英钩将石英舟推至1260?1262℃的恒温区前半段；调整扩散炉升温速率为5℃/min升温到1262℃，等温度升到1262℃时，开始计时，恒温时间...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陶小鸥，曹孙根，
申请(专利权)人：南通康比电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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