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本发明公开了一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、涂硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述涂硼工序中硼液配比：乙二醇乙醚:三氧化二硼=10:4；所述在涂硼和双面喷砂之间增加高温扩散...
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