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一种NMOS晶体管形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成氧化层，在所述氧化层表面形成多晶硅层；对所述半导体衬底进行第一离子注入，所述注入的离子为氟离子和氮离子；对所述多晶硅层和氧化层进行刻蚀，分别形成栅电极和栅氧化层，在所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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