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本发明公开了一种进行硅背面的离子注入方法，适用于减薄后的硅片背面的离子注入工艺，先对硅片背面进行浅结的离子注入，注入深度可以根据最终需要的深度和注入机的能力而定，在离子注入完成后，利用激光设备，设置合理的机器参数，主要包括退火能量，扫描叠加...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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