【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种应用于驱动功率MOSFET半桥的集成电路结构，其特征在于，所述的集成电路结构包括电源模块、上管驱动电路模块和下管驱动电路模块，所述的上管驱动电路模块的输入端为上管控制信号输入端；所述的下管驱动电路模块的输入端为下管控制信号输入端；所述的电源模块包括电流源输出端和电压源输出端，所述的电流源输出端和电压源输出端均分别连接所述的上管驱动电路模块和下管驱动电路模块。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张骁宇，陈冠峰，毛旭进，蒋亚平，
申请(专利权)人：无锡华润矽科微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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