【技术实现步骤摘要】
201610168524
【技术保护点】
一种静电放电电路,应用于功率放大器,所述功率放大器包括多级放大单元,所述放大单元包括直流电压输入端;其特征在于,所述静电放电电路包括并联的第一二极管组和第二二极管组;其中,所述第一二极管组的一端接于所述直流电压输入端,另一端接地,包括正向串接的多个二极管;所述第二二极管组的一端接于所述直流电压输入端,另一端接地,包括反向串接的至少一个二极管。
【技术特征摘要】
1.一种静电放电电路,应用于功率放大器,所述功率放大器包括多级放大单元,所述放大单元包括直流电压输入端;其特征在于,所述静电放电电路包括并联的第一二极管组和第二二极管组;其中,所述第一二极管组的一端接于所述直流电压输入端,另一端接地,包括正向串接的多个二极管;所述第二二极管组的一端接于所述直流电压输入端,另一端接地,包括反向串接的至少一个二极管。2.根据权利要求1所述的静电放电电路,其特征在于,所述第一二极管组的二极管数量为:N=VccVon+1;]]>或其中,N代表所述第一二极管组的二极管数量,Vcc代表直流电压输入端输入的直流电压,Von代表二极管的导通压降。3.根据权利要求1所述的静电放电电路,其特征在于,所述第二二极管组的二极管数量为1个。4.一种功率放大器,其特征在于,所述功率放大器包括多级放大单元及至少一个如权利要求1-3任一项所述的静电放电电路;其中,各级所述放大单元包括晶体管、扼流电感和去耦电容;所述扼流电感的一端作为所述放大单元的直流电压输入端;所述静电放电电路的一端接于所述直流电压输入端,另一端接地。5.根据权利要求4所述的功率放大器,其特征在于,所述晶体管为双极晶体管或场效应管。6.根据权利要求5所述的功率放大器,其特征在于,所述晶体管为硅互补金属氧化物半导体晶体管或砷化镓双极晶体管或赝调制掺杂异质结场效应晶体管。7.根据权利要求4所述的功率放大器,其特征在于,所述晶体管、去耦电容和静电放电电路基于集成电路工艺集成于芯片中;所述芯片与所述扼流电感设置于基板上,所述芯片与所述扼流电感电连接。8.根据权利要求7所述的功率放大器,其特征在于,所述扼流电感包括第一绑定线、第二绑定线和第一走线;所述芯片包括第一焊盘和第二焊盘;其中,所述第一走线的一端与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄清华,刘海玲,陈高鹏,
申请(专利权)人:宜确半导体苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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