一种氮化镓功率放大器及器件制造技术

本技术提供了一种氮化镓功率放大器及器件，其包括：管芯；第一封装体，其包括第一封装部及焊盘，所述管芯被封装于所述第一封装部内，且支撑于所述焊盘上，以形成对所述管芯的预封装结构；第二封装体，所述预封装结构设置于所述第二封装体内部，所述管芯的通过所述第一封装体与第二封装体的管脚连接。本技术的氮化镓功率放大器及器件，通过第一封装体对管芯进行预封装，之后通过第二封装体对预封装整体进行二次封装，由此显著降低管芯源极的打线电感，进而达到提升管芯增益性能、减小寄生参数的目的，同时，通过第一封装体中设置的焊盘直接与管芯接触，由此能够实现大面积散热效果，进而稳定管芯作业环境，提高元器件使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本适用新型涉及射频封装领域，具体涉及一种氮化镓功率放大器及器件。

技术介绍

1、随着无线通信技术的快速发展，尤其是5g通信技术的普及，氮化镓(gan)功率放大器因其高效率、高功率密度和宽带宽等特点，在射频(rf)领域得到了广泛的应用。然而，氮化镓功率放大器的封装技术面临着两大挑战，分别是管芯热耗问题和寄生参数的影响。

2、首先，氮化镓功率放大器的热耗问题。氮化镓功率芯片的功率范围从几瓦到几百瓦，甚至上千瓦，因此在工作时会产生大量的热量。这些热量的有效散发是保证功率放大器可靠性和稳定性的关键。由于氮化镓芯片的热耗较高，传统的封装形式难以满足其散热需求，这就要求封装技术必须进行创新，以实现高效的散热。

3、其次，寄生参数的影响。随着5g通信技术的发展，氮化镓功率放大器产品的应用频率越来越高，这对封装技术提出了更高的要求。在高频率工作状态下，封装引入的寄生参数(如寄生电感、寄生电容)会显著影响功率放大器的性能，包括信号完整性、功率附加效率(pae)和线性度等。因此，减小封装带来的寄生参数成为提高氮化镓功率放大器性能的关键。

4本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化镓功率放大器，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的氮化镓功率放大器，其特征在于：所述第一封装部上设有至少一个连接通孔，任意所述连接通孔的一端与外界连通，另一端延伸至所述焊盘，所述管芯源极与所述连接通孔相连。

3.根据权利要求2所述的氮化镓功率放大器，其特征在于：所述第一封装体还包括至少一个减薄介质部，至少一个所述减薄介质部设置于所述第一封装部中，且分别设置于所述管芯与至少一个所述连接通孔之间。

4.根据权利要求1所述的氮化镓功率放大器，其特征在于：所述第一封装体还包括第一连接层，所述第一连接层设置于所述第一封装部以及所述第一连接层之...

【技术特征摘要】

1.一种氮化镓功率放大器，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的氮化镓功率放大器，其特征在于：所述第一封装部上设有至少一个连接通孔，任意所述连接通孔的一端与外界连通，另一端延伸至所述焊盘，所述管芯源极与所述连接通孔相连。

3.根据权利要求2所述的氮化镓功率放大器，其特征在于：所述第一封装体还包括至少一个减薄介质部，至少一个所述减薄介质部设置于所述第一封装部中，且分别设置于所述管芯与至少一个所述连接通孔之间。

4.根据权利要求1所述的氮化镓功率放大器，其特征在于：所述第一封装体还包括第一连接层，所述第一连接层设置于所述第一封装部以及所述第一连接层之间。

5.根据权利要求1所述的氮化镓功率放大器，其特征在于：所述第二封装体包括第二封装部以及安装部，所述第二封装部设置于所述安装部上，所述第一封装体设...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春伟，曹伟，
申请(专利权)人：宜确半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：