快闪存储单元及其制造方法技术

一种快闪存储单元，此快闪存储单元至少是由基底、穿隧氧化层、浮置闸极、绝缘层、控制闸极与闸间介电层所构成。穿隧氧化层设置于基底上。浮置闸极设置于穿隧氧化层上，且浮置闸极是由设置于穿隧氧化层上的第一导体层与设置于第一导体层上的第二导体层所构成，其中第二导体层的底部低于第一导体层上表面，且第二导体层的剖面为碗状。绝缘层设置于浮置闸极之间。复数个控制闸极分别设置于浮置闸极上。闸间介电层设置于控制闸极与浮置闸极之间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种半导体元件，特别是有关于一种。
技术介绍
快闪存储单元元件由于具有可多次资料的存入、读取、抹除等动作，且存入的资料在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种存储单元元件。典型的快闪存储单元元件，一般是被设计成具有堆叠式闸极(Stack-Gate)结构，其中包括以掺杂的多晶硅制作浮置闸极(Floating Gate)与控制闸极(Control Gate)。浮置闸极位于控制闸极和基底之间，且处于浮置状态，没有和任何电路相连接，而控制闸极则与字元线(Word Line)相接，此外还包括穿隧氧化层(Tunneling Oxide)和闸间介电层(Inter-Gate Dielectric Layer)分别位于基底和浮置闸极之间以及浮置闸极和控制闸极之间。在目前提高元件积集度的趋势下，会依据设计规则缩小元件的尺寸，通常浮置闸极与控制闸极之间的闸极耦合率(Gate Couple Ratio，GCR)越大，其操作所需的工作电压将越低。而提高闸极耦合率(Gate CoupleRatio，GCR)的方法包括增加闸间介电层的电容或减少穿遂氧化层的电容。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快闪存储单元，其特征在于，包括：　　　　一基底；　　　　一穿隧氧化层，设置于该基底上；　　　　复数个浮置闸极，设置于该穿隧氧化层上，该浮置闸极包括：　　　　一第一导体层，设置于该穿隧氧化层上；　　　　一第二导体层，设置于该第一导体层上，该第二导体层的底部低于该第一导体层上表面，且该第二导体层的剖面为碗状；　　　　一绝缘层，设置于该些浮置闸极之间；　　　　复数个控制闸极，分别设置于该些浮置闸极上；以及　　　　一闸间介电层，设置于各该些控制闸极与各该些浮置闸极之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种快闪存储单元，其特征在于，包括一基底；一穿隧氧化层，设置于该基底上；复数个浮置闸极，设置于该穿隧氧化层上，该浮置闸极包括一第一导体层，设置于该穿隧氧化层上；一第二导体层，设置于该第一导体层上，该第二导体层的底部低于该第一导体层上表面，且该第二导体层的剖面为碗状；一绝缘层，设置于该些浮置闸极之间；复数个控制闸极，分别设置于该些浮置闸极上；以及一闸间介电层，设置于各该些控制闸极与各该些浮置闸极之间。2.如权利要求1所述的快闪存储单元，其特征在于，其中该绝缘层的表面低于该第二导体层上表面，且高于该第一导体层上表面。3.如权利要求1所述的快闪存储单元，其特征在于，其中该浮置闸极的剖面包括平口型碗状。4.如权利要求3所述的快闪存储单元，其特征在于，其中该绝缘层的表面低于该第二导体层上表面，且高于该第一导体层上表面。5.如权利要求1所述的快闪存储单元，其特征在于，其中该浮置闸极的剖面包括蚕豆型碗状。6.如权利要求5所述的快闪存储单元，其特征在于，其中该绝缘层的表面低于该第二导体层上表面，且高于该第一导体层上表面。7.如权利要求1所述的快闪存储单元，其特征在于，其中该浮置闸极的剖面包括马蹄型碗状。8.如权利要求7所述的快闪存储单元，其特征在于，其中该绝缘层的表面低于该第二导体层上表面，且高于该第一导体层上表面。9.一种快闪存储单元的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤提供一基底，该基底上已依序形成有一穿隧氧化层、一第一导体层、一第一绝缘层与一罩幕层；图案化该罩幕层、该第一绝缘层、该第一导体层与该穿隧介电层以形成复数个堆叠结构；于该些堆叠结构之间形成一第二绝缘层；移除部分该第二绝缘层，使该第二绝缘层的表面低于该罩幕层；移除该罩幕层；移除该第一绝缘层与部分该第二绝缘层，而于该第一导体层上形成一开口，该开口的剖面成碗状，且该开口底部低于该第一导体层上表面；于该开...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪志荣，朱聪明，俞笃豪，王国镇，罗文勋，刘豪杰，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]