抗蚀剂图案及配线图案的形成方法、半导体装置的制造法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可以生产性良好地形成抗蚀剂图案的方法。其解决方法是，将设置在含有可以将光能转换成热能的光热转换材料的基体材料（５）上的含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层（６）和被处理材料（１）对置，在基体材料（５）的所定区域内照射光，使与所定区域相应的抗蚀剂材料转印到被处理材料（１）上，使抗蚀剂材料在被处理材料（１）上制作配线图案。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使抗蚀剂在被处理材料上制作配线图案的抗蚀剂图案的形成方法、使用该抗蚀剂图案的配线图案的形成方法及半导体装置的制造方法、电光学装置及电子机器。
技术介绍
以往，作为半导体集成电路等的具有微细配线图案的装置的制造方法多采用光刻法。下述专利文献1公开了通过光刻法形成用于用液滴喷出法而配置功能液的液滴的贮格围堰(黑基质)的技术。专利文献1 特开平6-347637号公报在光刻法中，在被处理材料上涂布抗蚀剂材料，形成抗蚀剂层，对该抗蚀剂层进行曝光处理，其后进行显影处理，从而得到所定的抗蚀剂图案。该情况下，需要进行多个工序，生产率低。
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术的目的在于，提供一种可以生产性良好地形成抗蚀剂图案的抗蚀剂图案的形成方法。其目的还在于，提供使用该抗蚀剂图案的配线图案的形成方法、使用该抗蚀剂图案的半导体装置的制造方法、具有该配线图案或半导体装置的电光学装置及电子机器。为了解决上述课题，本专利技术的抗蚀剂图案的形成方法的特征在于，在含有将光能转换成热能的光热转换材料的基体材料上，设置含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层，在将上述抗蚀剂层和被处理材料对置(对向)的状态下，在上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于：在含有将光能转换成热能的光热转换材料的基体材料上，设置含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层，在将上述抗蚀剂层和被处理材料对置的状态下，在上述基体材料的所定区域内照射光，将与上述所定区域相应的上述抗蚀剂材料转印到上述被处理材料上，使抗蚀剂材料在上述被处理材料上制作配线图案。

【技术特征摘要】
JP 2003-8-8 2003-2906581.一种抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于在含有将光能转换成热能的光热转换材料的基体材料上，设置含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层，在将上述抗蚀剂层和被处理材料对置的状态下，在上述基体材料的所定区域内照射光，将与上述所定区域相应的上述抗蚀剂材料转印到上述被处理材料上，使抗蚀剂材料在上述被处理材料上制作配线图案。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于互相独立而分别设置着上述基体材料、上述抗蚀剂层及含有上述光热转换材料的光热转换层。3.根据权利要求2所述的抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于在上述基体材料和上述抗蚀剂层之间设置着上述光热转换层。4.根据权利要求2或3所述的抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于在上述基体材料的不设置着上述抗蚀剂层的另一方的面侧设置着上述光热转换层。5.根据权利要求1～4的任一项所述的抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于将上述光热转换材料混合在上述基体材料中。6.根据权利要求1～5的任一项所述的抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于将上述光热转换材料混合在上述抗蚀剂层中。7.根据权利要求1～6的任一项所述的抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于在上述基体材料和上述抗蚀剂层之间设置着含有通过光照射或加热而发生气体的气体发生材料的气体发生层。8.根据权利要求1～7的任一项所述的抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于将通过光照射或加热而发生气体的气体发生材料混合在上述基体材料中。9.根据权利要求1～8的任一项所述的抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于将借助于具有所定图案的掩模的光照射到上述基体材料上。10.根据权利要求1～9的任一项所述的抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于使上述基体材料及上述被处理材料相对于上述光相对移动，同时进行照射。11.根据权利要求1～10的任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰田直之，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]