制造半导体器件的方法技术

公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括下述步骤：依序在硅衬底上形成第一抗反射层和第一光致抗蚀剂膜；形成第一图像层；形成第二抗反射层和第二光致抗蚀剂膜；形成开口宽于第一图像层的第二图像层；为了将第二图像层的图形转移到第二抗反射层上并将第一图像层的图形转移到第一抗反射层上，向生成的结构提供氧等离子体，由此形成开口；形成金属层；形成金属图形以填充开口；并除去第二图像层、第二抗反射层、第一图像层和第一抗反射层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于，更为具体地，涉及利用三维结构制造包括集成电路器件、光电器件、磁器件、光学器件、微型电子机械器件(MEMS)等的半导体器件的方法。
技术介绍
如现有技术通常公知的，以具有微图形的多层结构制造集成电路器件、光电器件、磁器件、光学器件等。在制造具有其中微图形形成在每一层上的多层结构的这些器件中，一般采用利用光的光刻技术形成微图形。为了通过光刻技术制造多层结构的器件，需要多个掩模(标线片(reticle))和掩模对准工序。即，根据光刻技术，首先，在衬底上涂覆具有高粘性和对光反应性的聚合物材料(例如，光致抗蚀剂)，其中要构图的材料已经堆叠(或沉积)在衬底上。然后，在预定的对准标记对准在期望图形中设计的标线片(掩模)。随后，通过将光射向聚合物材料进行曝光工艺，并通过显影工艺选择性地除去被曝光的聚合物材料，以便在要被构图的材料上形成具有期望图形的图形掩模。此后，利用图形掩模进行蚀刻工艺、生长抑制工艺、杂质注入工艺等。通过这些工艺，按照期望的图形构图叠置在衬底上的材料，或在衬底的预定区域中形成其中注入杂质的掺杂区，由此制造半导体器件。期间，在上述光刻技术中，根据在曝光工艺中使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括下述步骤：依序在硅衬底上形成不包含光敏材料的第一抗反射层和包含硅／光敏材料的第一光致抗蚀剂膜；曝光并湿显影第一光致抗蚀剂膜，由此形成具有预定形状的第一图像层；依序在包括第一图像 层的衬底的整个表面上形成不包含光敏材料的第二抗反射层和包含硅／光敏材料的第二光致抗蚀剂膜；曝光并湿显影第二光致抗蚀剂膜，由此形成开口宽于第一图像层的第二图像层；为了将第二图像层的图形转移到第二抗反射层上，并将通过第二抗反射层 暴露的第一图像层的图形转移到第一抗反射层上，向生成的结构提供氧等离子体，由此形成...

【技术特征摘要】
KR 2003-11-10 79152/031.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括下述步骤依序在硅衬底上形成不包含光敏材料的第一抗反射层和包含硅/光敏材料的第一光致抗蚀剂膜；曝光并湿显影第一光致抗蚀剂膜，由此形成具有预定形状的第一图像层；依序在包括第一图像层的衬底的整个表面上形成不包含光敏材料的第二抗反射层和包含硅/光敏材料的第二光致抗蚀剂膜；曝光并湿显影第二光致抗蚀剂膜，由此形成开口宽于第一图像层的第二图像层；为了将第二图像层的图形转移到第二抗反射层上，并将通过第二抗反射层暴露的第一图像层的图形转移到第一抗反射层上，向生成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄成辅，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]