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公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括下述步骤：依序在硅衬底上形成第一抗反射层和第一光致抗蚀剂膜；形成第一图像层；形成第二抗反射层和第二光致抗蚀剂膜；形成开口宽于第一图像层的第二图像层；为了将第二图像层的图形转移到第二抗反射层上并将第一...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。

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