【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在半导体装置的制造工艺等中使用的。
技术介绍
近年来，在半导体装置的制造工艺中，伴随着半导体元件的集成度的提高，使用光刻技术的抗蚀图形的清晰度也进一步实现了微细化。特别是具有用于形成接触孔的开口部(孔部)的抗蚀图形，使用以往的光刻法会降低对比度，从而难以获得需要的形状。因此，作为形成使用光刻的微细接触孔图形的方法，提倡以覆盖形成的抗蚀图形的方式形成含有交联剂的水溶性膜，通过残留在抗蚀图形的未曝光部的酸，将热能作为催化剂而与水溶性膜发生交联反应，从而缩小(shrink)接触孔图形的开口直径(例如，参照非专利文献1。)。下面，参照图15以及图16，对使用以往的化学收缩法的进行说明。首先，准备具有下述组成的正型化学放大型抗蚀剂材料。聚(2-甲基-2-丙烯酸金刚烷基酯-甲基丙烯酸)(基础聚合物)………………………………………………………………………………2g三苯基锍九氟甲基磺酸盐(酸生成剂)………………………………0.06g丙二醇一甲基醚醋酸酯(溶剂)…………………………………………20g接着，如图15(a)所示，在基板1上涂敷上述的化学放大型抗蚀剂...
【技术保护点】
一种图形形成方法，其特征在于，具备：在基板上形成由含有羧酸衍生物的抗蚀剂构成的抗蚀膜的工序，通过选择性照射曝光光而进行图形形成的工序，通过对图形曝光后的所述抗蚀膜进行显影而形成第１抗蚀图形的工序，将所述第１抗 蚀图形暴露于含有对所述羧酸衍生物进行还原的还原剂的溶液中的工序，在暴露于所述溶液中的所述第１抗蚀图形上形成含有与所述第１抗蚀图形发生反应的交联剂的水溶性膜的工序，对所述水溶性膜进行退火的工序，除去所述水溶性膜的第１部 分的工序，和形成具有所述第１抗蚀图形以及所述...
【技术特征摘要】
JP 2003-12-16 2003-4178341.一种图形形成方法，其特征在于，具备在基板上形成由含有羧酸衍生物的抗蚀剂构成的抗蚀膜的工序，通过选择性照射曝光光而进行图形形成的工序，通过对图形曝光后的所述抗蚀膜进行显影而形成第1抗蚀图形的工序，将所述第1抗蚀图形暴露于含有对所述羧酸衍生物进行还原的还原剂的溶液中的工序，在暴露于所述溶液中的所述第1抗蚀图形上形成含有与所述第1抗蚀图形发生反应的交联剂的水溶性膜的工序，对所述水溶性膜进行退火的工序，除去所述水溶性膜的第1部分的工序，和形成具有所述第1抗蚀图形以及所述水溶性膜的第2部分的第2抗蚀图形的工序；其中，所述水溶性膜的所述第1部分是指没有与所述第1抗蚀图形发生反应的部分，而所述水溶性膜的所述第2部分是指与所述第1抗蚀图形发生反应的部分。2.根据权利要求1所述的图形形成方法，其特征在于，所述羧酸衍生物是羧基或羧酸酯基。3.根据权利要求1所述的图形形成方法，其特征在于，所述还原剂是碘化氢(HI)或硫化氢(H2S)。4.根据权利要求1所述的图形形成方法，其特征在于，所述还原剂是原子价低于标准原子价的元素的氧化物。5.根据权利要求4所述的图形形成方法，其特征在于，所述氧化物是一氧化碳(CO)或二氧化硫(SO2)。6.根据权利要求1所述的图形形成方法，其特征在于，所述还原剂是容易释放电子的金属。7.根据权利要求1所述的图形形成方法，其特征在于，所述还原剂含有原子价低于标准原子价的金属离子。8.根据权利要求1所述的图形形成方法，其特征在于，所述水溶性膜包括聚(乙烯醇)、聚(乙烯吡咯烷酮)、聚(丙烯酸)、聚苯乙烯磺酸或支链淀粉。9.根据权利要求1所述的图形形成方法，其特征在于，所述曝光光是ArF准分子激光、KrF准分子激光、F2激光、Kr...
【专利技术属性】
技术研发人员：远藤政孝，笹子胜，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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