【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多重图形的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成刻蚀目标层；在所述刻蚀目标层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一尺寸图形和第二尺寸图形，所述第二尺寸图形的特征尺寸大于所述第一尺寸图形的特征尺寸；在所述刻蚀目标层上形成第一侧墙材料层，所述第一侧墙材料层覆盖所述第一掩膜层，在所述第一侧墙材料层上形成第二侧墙材料层；回刻蚀所述第二侧墙材料层形成侧墙，以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第一侧墙材料层，直至暴露出所述刻蚀目标层，位于所述第一尺寸图形周围的侧墙和剩余第一侧墙材料层构成第三尺寸图形，位于所述第二尺寸图形周围的侧墙和剩余第一侧墙材料层构成第四尺寸图形；以所述第一尺寸图形、第二尺寸图形、第三尺寸图形和第四尺寸图形为掩膜，刻蚀所述刻蚀目标层，形成与第一尺寸图形对应的第一目标图形、与第二尺寸图形对应的第二目标图形、与第三尺寸图形对应的第三目标图形和与第四尺寸图形对应的第四目标图形；去除所述第一尺寸图形、第二尺寸图形、第三尺寸图形和第四尺寸图形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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