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一种多重图形的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成刻蚀目标层；在所述刻蚀目标层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一尺寸图形和第二尺寸图形；在所述刻蚀目标层上形成第一侧墙材料层和第二侧墙材料层；回刻蚀所述第二侧墙材料层形...
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