【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种自对准双重图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有第一牺牲层，所述第一牺牲层的宽度与相邻第一牺牲层之间的距离相同；在所述第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜侧墙；在所述待刻蚀层表面形成覆盖所述第一掩膜侧墙表面的第二牺牲层，所述第二牺牲层的表面与所述第一牺牲层的表面齐平；在形成所述第二牺牲层之后，去除所述第一牺牲层，并暴露出待刻蚀层表面；在去除所述第一牺牲层之后，在所述第二牺牲层和第一掩膜侧墙两侧的刻蚀层表面形成第二掩膜侧墙，所述第二掩膜侧墙的剖面形状与所述第一掩膜侧墙的剖面形状对称；在形成第二掩膜侧墙之后，去除所述第二牺牲层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：隋运奇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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