一种构图装置和构图方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种构图装置，所述构图装置包括抓取单元和处理液槽，所述处理液槽用于盛放处理液，所述抓取单元用于将基板放置入所述处理液槽内，并将处理后的所述基板从所述处理液槽中移出。相应地，本发明专利技术还提供一种构图方法，用于利用上述构图装置对基板进行对应的处理。本发明专利技术能够改善处理液与基板对应材料反应的均匀性，能够避免现有的喷淋方式可能对基板上图形造成的损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种构图装置和构图方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种构图装置和构图方法。
技术介绍
在半导体以及显示装置制造领域中，光刻胶的显影通常采用喷淋显影液的方式，即，向基板上喷淋显影液，使已曝光（或未曝光）的光刻胶剥离或溶解。然而，采用喷淋的方式容易在基板上造成显影液残留以及颗粒污染，同时，喷淋显影液时的冲击力可能会对光刻胶的图形造成一定损伤。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种构图装置，能够避免在构图过程中对图形造成损伤。为实现上述目的，本专利技术提供一种构图装置，所述构图装置包括抓取单元和处理液槽，所述处理液槽用于盛放处理液，所述抓取单元用于将基板放置入所述处理液槽内，并将处理后的所述基板从所述处理液槽中移出。优选地，所述处理液槽包括多个子处理液槽，所述抓取单元能够将所述基板从一个所述子处理液槽移动至另一个所述子处理液槽。优选地，所述处理液槽中设置有至少一个挡板，以将所述处理液槽分隔成多个所述子处理液槽。优选地，所述构图装置还包括至少一个过滤器，所述过滤器用于将一个所述子处理液槽中处理液过滤后注入另一个所述子处理液槽。优选地，所述构图装置还包括翻转单元，所述翻转单元用于翻转所述基板以使所述基板的图形面朝下，所述抓取单元包括吸附件，所述吸附件用于吸附所述基板。优选地，所述处理液为显影液或刻蚀液。相应地，本专利技术还提供一种构图方法，用于利用上述本专利技术所提供的构图装置对基板进行处理，所述构图方法包括：S1、利用所述抓取单元将所述基板浸泡在所述处理液槽盛放的处理液中进行处理；S2、利用所述抓取单元将处理后的所述基板移出所述处理液槽。优选地，所述处理液槽包括多个所述子处理液槽，所述抓取单元能够将所述基板从一个所述子处理液槽移动至另一个所述子处理液槽，所述S1包括：利用所述抓取单元将所述基板依次浸泡在各所述子处理液槽盛放的处理液中进行处理。优选地，所述构图装置包括所述过滤器，所述S2之后还包括：S3、通过所述过滤器将一个所述子处理液槽中处理液过滤后注入另一个所述子处理液槽中。优选地，所述S1中将所述基板浸泡在所述处理液中时，利用所述抓取单元带动所述基板沿水平方向按照预设速率往复移动。优选地，所述构图装置包括翻转单元，所述抓取单元包括吸附件，在进行S1之前，当所述基板的图形面朝上时，所述S1之前包括：利用所述翻转单元翻转所述基板以使所述基板的图形面朝下，利用所述吸附件吸附所述基板的与图形面相对的一面。可以看出，本专利技术通过利用抓取单元将基板浸泡在处理液槽盛放的处理液中，能够改善处理液与基板上对应材料反应的均匀性，如显影液与光刻胶的反应或者刻蚀液与对应膜层的反应等，避免了残渣的残留，并且避免了现有的喷淋方式可能对图形造成的损伤。此外，本专利技术还能够重复利用处理液，能够节约成本。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术实施例所提供的构图装置示例图；图2为本专利技术实施例所提供的构图装置的另一示例图；图3为本专利技术实施例所提供的构图装置的再一示例图；图4为本专利技术实施例所提供的构图方法流程示例图。附图标记说明10-抓取单元；11-基板；20-处理液槽；21a-1号子处理液槽；21b-2号子处理液槽；21c-3号子处理液槽；21d-4号子处理液槽；22-挡板；30-过滤器。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一个方面，提供一种构图装置，如图1至图3所示，该构图装置可以包括抓取单元10和处理液槽20，其中，处理液槽20用于盛放处理液，抓取单元10能够用于将基板11放置在处理液槽20内，并且，抓取单元10能够将经过处理液处理后的基板11从处理液槽20中移出。现有技术中，通常采用喷淋处理液的方式对基板进行相应的构图工艺（如显影或刻蚀），喷淋处理液的冲击力可能会对基板上的图形造成一定损伤，同时，难以保证处理液对基板进行相应处理时的均匀性，可能会造成颗粒残留。上述本专利技术提供的构图装置中，能够通过抓取单元10将基板11放置在处理液槽20内，以将基板11浸泡在处理液中进行对应处理，与现有技术相比，能够改善处理液与基板对应材料（如光刻胶或对应膜层）反应的均匀性，同时，避免了喷淋处理液对基板11图形造成的损伤。并且，在实际应用时，可以使基板11的图形面朝下，从而能够避免处理液处理后产生的残渣或颗粒残留在基板11上。更进一步地，如图2所示，处理液槽20可以包括多个子处理液槽，并且，抓取单元10能够将基板11从一个子处理液槽中移动至另一个所述子处理液槽中。为了能够达到更好的处理效果，可以设置多个子处理液槽，在处理时，可以利用抓取单元10依次将基板11放置在各个子处理液槽中进行处理。由于处理基板11后会在处理液中产生相应的残渣，影响后续处理效果，因此，采用上述结构可以在一个子处理液槽中产生了一定的残渣后，将基板11移至下一个子处理液槽进行处理，能够有效改善处理效果。子处理液槽可以是各自独立的，或者，如图2所示，可以在处理液槽20中设置至少一个挡板22，以通过挡板22将处理液槽20分隔成多个子处理液槽。在处理液槽20中设置挡板22形成多个子处理液槽能够节约成本、便于加工，并且，所形成的多个子处理液槽依次排列，便于抓取单元10将基板11从一个子处理液槽移动至另一个子处理液槽。子处理液槽的数量可以根据需要进行设置，本专利技术对此不作限制，当需要处理的基板面积较大时，可以设置较多的子处理液槽；当需要处理的基板面积较小时，可以设置较少的子处理液槽。更进一步地，如图3所示，本专利技术所提供的构图装置中还包括至少一个过滤器30，过滤器30能够用于将一个子处理液槽中的处理液过滤后注入另一个子处理液槽中。如图3所示，由于在对基板11进行处理时，可以将基板11依次放入各子处理液槽中进行处理，例如可以从左至右依次将基板11放入子处理液槽中，相应地，在各子处理液槽中产生的残渣也会从左至右逐渐减少。因此，当需要更新各子处理液槽中的处理液时，可以利用过滤器30将右侧子处理液槽的处理液过滤后注入到右侧的子处理液槽中。例如，在图3所示示例中，在更新各子处理液槽中的处理液时，可以向4号子处理液槽21d中加入新液，而将4号子处理液槽21d中的原处理液过滤后注入到2号子处理液槽21b和3号子处理液槽21c中，可以将2号子处理液槽21b和3号子处理液槽21c中的原处理液过滤后注入到1号子处理液槽21a中，而1号子处理液槽21a中的原处理液由于残渣较多，可以直接作为废液排出。采用上述方式，能够有效重复利用处理液，可以节约成本。上述过滤器中可以设置有泵结构，以能够将过滤后的处理液注入到子处理液槽中。更进一步地，本专利技术所提供的构图装置还可以包括翻转单元，该翻转单元可以用于翻转基板以使基板的图形面朝下，而抓取单元可以包括吸附件，该吸附件可以用于吸附基板。通常，基板在各工艺流程中图形面都是朝上放置，因此，在将基板放置到处理液槽中之前，可以通过翻转单元对基板进行翻转，以使基板的图形面朝下。而抓取单元可以包括吸附件，可以通过吸附件吸附基板上与图形面相对的一面，以能够使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种构图装置，其特征在于，所述构图装置包括抓取单元和处理液槽，所述处理液槽用于盛放处理液，所述抓取单元用于将基板放置入所述处理液槽内，并将处理后的所述基板从所述处理液槽中移出。

【技术特征摘要】
1.一种构图装置，其特征在于，所述构图装置包括抓取单元和处理液槽，所述处理液槽用于盛放处理液，所述抓取单元用于将基板放置入所述处理液槽内，并将处理后的所述基板从所述处理液槽中移出；所述处理液槽包括多个子处理液槽，所述抓取单元能够将所述基板从一个所述子处理液槽移动至另一个所述子处理液槽；所述构图装置还包括至少一个过滤器，所述过滤器用于将一个所述子处理液槽中的处理液过滤后注入另一个所述子处理液槽。2.根据权利要求1所述的构图装置，其特征在于，所述处理液槽中设置有至少一个挡板，以将所述处理液槽分隔成多个所述子处理液槽。3.根据权利要求1或2所述的构图装置，其特征在于，所述构图装置还包括翻转单元，所述翻转单元用于翻转所述基板以使所述基板的图形面朝下，所述抓取单元包括吸附件，所述吸附件用于吸附所述基板。4.根据权利要求1或2所述的构图装置，其特征在于，所述处理液为显影液或刻蚀液。5.一种构图方法，用于利用权利要求1至4中任意一项所述的构图装置对基板进行处理，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马群，张琨鹏，刘晓那，徐长健，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11