半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，包括：形成于半导体基板上的第一布线层；形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；在该层间绝缘膜上形成的由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层；在形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口内，夹持在上述第一布线层与第二布线层之间的阻挡层。所述阻挡层具有与上述第一布线层接触并使接触电阻减少的第一层、与上述第二布线层接触并使接触强度提高的第二层、以及夹持在上述第一层与上述第二层之间的第三层。例如可以是一层为第一钽层、第二层为第二钽层、第三层为氮化钽层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有多层布线的。
技术介绍
半导体装置具有半导体基板、形成于该半导体基板的表层部上的功能元件、以及形成于该半导体基板上的多层布线结构。多层布线结构是夹持层间绝缘膜叠层多层布线的结构，不同的布线层间的连接是借助形成于层间绝缘膜上的接触孔而完成的。作为布线材料一直使用的铝，在低电阻化中存在局限，伴随半导体装置的微细化截面积逐渐变小，其布线电阻成了问题。因此，尤其期望地线或电源线的低电阻化。因此，例如，本专利技术人等在特开2002-217284号公报中提出了在最上层的布线中使用金层从而使布线低电阻化的提案。在该现有技术中，借助接触孔电连接的铝布线层与由金层构成的最上层的布线层之间，夹持有由钛薄膜构成的阻挡层，通过该阻挡层可以防止铝的迁移。但是，由于金是一种极易扩散的材料，例如在合金处理时的高温下长时间放置(例如400℃放置30分钟～1小时)，则容易向铝布线层侧扩散。而且，在钛薄膜中，耐腐蚀性不充分，若在PCT(Pressure Cooker Test)时的环境下使用时，存在铝腐蚀以至于破坏到半导体装置的危险。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够在使用由金层构成的布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：形成于半导体基板上的第一布线层；　　　　形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；　　　　在该层间绝缘膜上形成的由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层；　　　　在形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口内，夹持在上述第一布线层与第二布线层之间的阻挡层，　　　　所述阻挡层具有与上述第一布线层接触并使接触电阻减少的第一层、与上述第二布线层接触并使粘接强度提高的第二层、以及夹持在上述第一层与上述第二层之间的第三层。

【技术特征摘要】
JP 2003-8-11 2003-2916421.一种半导体装置，包括形成于半导体基板上的第一布线层；形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；在该层间绝缘膜上形成的由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层；在形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口内，夹持在上述第一布线层与第二布线层之间的阻挡层，所述阻挡层具有与上述第一布线层接触并使接触电阻减少的第一层、与上述第二布线层接触并使粘接强度提高的第二层、以及夹持在上述第一层与上述第二层之间的第三层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述第一层是第一钽层，上述第二层是第二钽层，上述第三层是氮化钽层。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上述氮化钽层的氮原子密度分布，是在上述第一钽层侧的氮原子密度低于在上述第二钽层侧的氮原子密度。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，上述层间绝缘膜包括覆盖其整个表层部的氮化硅膜。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步包括覆盖上述第二布线层和上述层间绝缘膜的聚酰亚胺树脂膜。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步包括覆盖上述第二布线层和上述层间绝缘膜的氮化硅膜。7.一种半导体装置的制造方法，用于制造其构成为借助形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口对夹持层间绝缘膜而形成的第一布线层和第二布线层进行电连接的半导体装置，包括在半导体基板上形成上述第一布线层的工序；以覆盖该第一布线...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲谷吾郎，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]