半导体装置及其制造方法、电路基板及电子机器制造方法及图纸

提供一种半导体装置及其制造方法，电路基板和电子机器。半导体装置的制造方法包括：在第一面（２０）具有多个芯片搭载区域（３８）的半导体基板（１０）的、起于第一面（２０）的凹部（２２）内形成导电部（２０）的步骤；在各个芯片搭载区域（３８）上至少各一个堆叠半导体芯片（４０）的步骤；在半导体基板（１０）的第一面（２０）上设置密封材料（４６）的步骤；和从第二面（２０）除去半导体基板（１０）的一部分让其减薄，让导电部（３０）从第一面（２０）与第二面（２１）贯通的步骤。这样，可以提高生成效率以及可靠性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法、电路基板及电子机器。
技术介绍
三维安装方式的半导体装置正在开发中。此时，为谋求整体的薄型化，可对各个半导体基板进行磨削使其变薄。在过去的方法中，是把多个半导体芯片之间堆叠而成的，整个工序必须以半导体芯片为单位进行处理，因此生产效率差。或者，另一种想法是把多个半导体晶片之间进行堆叠，然后切断成单片，但这不仅使半导体装置的合格率变差，薄型加工后的半导体晶片的处理也变得困难。专利文献1特开2002-50738号公报。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，对于半导体装置及其制造方法、电路基板及电子机器，谋求生产效率和可靠性的提高。(1)有关本专利技术的半导体装置的制造方法，包括(a)在第一面具有多个芯片搭载区域的基板的、起于所述第一面的凹部内形成导电部的步骤；(b)在所述芯片搭载区域上堆叠半导体芯片的步骤；(c)在所述基板的所述第一面上设置密封材料的步骤；和(d)从第二面除去所述基板的一部分让其减薄，让所述导电部从所述第一面与所述第二面贯通的步骤。根据本专利技术，可以用密封材料加固基板，可以稳定进行基板的薄型化工序，以提高可靠性。另外，基板具有多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：（ａ）在第一面具有多个芯片搭载区域的基板的、起于所述第一面的凹部内形成导电部的步骤；（ｂ）在所述芯片搭载区域上堆叠半导体芯片的步骤；（ｃ）在所述基板的所述第一面上设置密封材 料的步骤；和（ｄ）从第二面除去所述基板的一部分让其减薄，让所述导电部从所述第一面与所述第二面贯通的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2003-7-31 2003-2836661.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括(a)在第一面具有多个芯片搭载区域的基板的、起于所述第一面的凹部内形成导电部的步骤；(b)在所述芯片搭载区域上堆叠半导体芯片的步骤；(c)在所述基板的所述第一面上设置密封材料的步骤；和(d)从第二面除去所述基板的一部分让其减薄，让所述导电部从所述第一面与所述第二面贯通的步骤。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述步骤(a)～(d)结束之后，进一步包括切断相邻所述芯片搭载区域之间，获得多个单片的步骤。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，采用第一切刀切削所述密封材料，采用所述第二切刀切削所述基板。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述步骤(a)包括在所述基板上形成所述凹部的步骤；在所述凹部的内面上形成绝缘层的步骤；和通过介入所述绝缘层在所述凹部内形成所述导电部的步骤。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，在各个所述芯片搭载区域上至少搭载各一个芯片。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述步骤(b)中，在任选一个所述芯片搭载区域上堆叠虚设芯片。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述步骤(b)中，通过在所述芯片搭载区域上堆叠所述半导体芯片或者所述虚设芯片，在各个所述芯片搭载区域上至少搭载各一个芯片。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体芯片，具有贯通两面的贯通电极；所述步骤(b)中，通过所述贯通电极，将所述半导体芯片与所述基板的所述导电部电连接。9.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述步骤(b)中，通过导线，将所述半导体芯片与所述基板的所述导电部电连接。10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口浩司，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]