半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，包括：形成于半导体基板上的第一布线层；形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；夹持于上述第一布线层与上述层间绝缘膜之间的阻挡层；形成于上述层间绝缘膜上由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层。上述阻挡层，跨过含有形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口区域，比该层间连接用开口区域更宽的区域而形成于上述第一布线层上。上述第二布线层，在上述层间连接用开口内借助上述阻挡层电连接在上述第一布线层上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有多层布线的。
技术介绍
半导体装置具有半导体基板、形成于该半导体基板的表层部上的功能元件、以及形成于该半导体基板上的多层布线结构。多层布线结构是夹持层间绝缘膜叠层多层布线的结构，不同的布线层间的连接是借助形成于层间绝缘膜上的接触孔而完成的。作为布线材料一直使用的铝，在低电阻化中存在局限，伴随半导体装置的微细化截面积逐渐变小，其布线电阻成了问题。因此，尤其期望地线或电源线的低电阻化。因此，例如，本专利技术人等在US2002-132392A1号公报中提出了在最上层的布线中使用金层从而使布线低电阻化的提案。在该现有技术中，借助接触孔电连接的铝布线层与由金层构成的最上层的布线层之间，夹持有由钛薄膜构成的阻挡层，通过该阻挡层可以防止铝的迁移。但是，由于金是一种极易扩散的材料，例如在合金处理时的高温下长时间放置(例如400℃放置30分～1小时)，则容易向铝布线层侧扩散。因此，钛薄膜实际上几乎没有作为阻挡层的功能，只能作为粘接层间绝缘膜与金层以及粘接铝布线层与金层的粘接层的功能。除了钛以外，考虑到作为阻挡层使用TiW薄膜，但是该TiW膜也与钛薄膜一样，几乎没有阻止金层与铝布线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：形成于半导体基板上的第一布线层；形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；夹持于上述第一布线层与上述层间绝缘膜之间，跨过含有形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口区域，比该层间连接用开口区域更宽的区域而 形成于上述第一布线层上的阻挡层；形成于上述层间绝缘膜上，在上述层间连接用开口内借助上述阻挡层电连接在上述第一布线层上，由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-5 2003-3142401.一种半导体装置，包括形成于半导体基板上的第一布线层；形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；夹持于上述第一布线层与上述层间绝缘膜之间，跨过含有形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口区域，比该层间连接用开口区域更宽的区域而形成于上述第一布线层上的阻挡层；形成于上述层间绝缘膜上，在上述层间连接用开口内借助上述阻挡层电连接在上述第一布线层上，由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层。2.根据权利要求1所示的半导体装置，其中，进一步包含粘接层，该粘接层夹持在上述层间绝缘膜与上述第二布线层之间，进而，在上述层间连接用开口内，以夹持在上述阻挡层与上述第二布线层之间的方式形成，将上述第二布线层粘接在上述层间绝缘膜和阻挡层上，由导电性材料构成。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述阻挡层具有氮化膜。4.根据权利要求3所述的半导体装置，构成上述阻挡层的氮化膜是具有防反射膜的性质的膜。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，上述阻挡层形成为与上述第一布线层相同的形状，至少在上述层间连接用开口区域附近形成为平面状。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述阻挡层具有200～1000范围的膜厚。7.一种半导体装置的制造方法，包括在半导体基板上形成第一布线层的工序；形成覆盖该第一布线层的层间绝缘膜的工序；在该层间绝缘膜的规定位置上形成使上述第一布线层部分露出的层间连接用开口的工序；在上述第一布线层形成后上述层间绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲谷吾郎，田村均，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]