用于银层的蚀刻溶液组合物、使用其制作金属图案的方法和制作显示基板的方法技术

本公开涉及用于银层的蚀刻溶液组合物、以及使用其制作金属图案的方法和制作显示基板的方法，所述蚀刻溶液组合物包括：(a)磷酸(H3PO4)；(b)硝酸(HNO3)；(c)醋酸(CH3COOH)；(d)磷酸盐化合物；(e)钠基化合物；和(f)水。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及用于银层的蚀刻溶液组合物、使用该蚀刻溶液组合物的显示基板、以及使用该蚀刻溶液组合物制作金属图案的方法和制作显示基板的方法，所述蚀刻溶液组合物包括：(a)磷酸(H3PO4)；(b)硝酸(HNO3)；(c)醋酸(CH3COOH)；(d)磷酸盐化合物；(e)钠基化合物；和(f)水。
技术介绍
随着进入全面信息时代，处理和显示大量信息的显示器领域已迅速增长，而响应于这种现象，开发了各种平板显示器且引起关注。这样的平板显示器装置的例子包括：液晶显示装置(LCD)、等离子体显示面板装置(PDP)，场发射显示装置(FED)，电致发光显示装置(ELD)，有机发光二极管(OLED)等，且这些平板显示器装置不仅在消费性电子产品领域(例如电视机和录像机)中、而且在计算机(例如笔记本电脑、移动电话等)中用于各种目的。这些平板显示器装置以其优异的特性(例如薄型化、重量轻和低功耗)而迅速取代现有的阴极射线管(NIT)。特别地，OLED能够以低电压驱动，同时通过装置本身发光，因此已被迅速应用于小型显示器(例如移动装置)的市场中。此外，在小型显示器中商业化之后，OLED在大尺寸电视机中的商业化指日可待。同时，导电金属例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)具有相对优异的光透射率并具有导电性，因此，已被广泛用作在平板显示器装置中使用的滤色器的电极。然而，这些金属也具有高电阻，并成为通过改善响应速度而实现的平板显示器装置放大和高分辨率的障碍。此外，在反射板的情况下，铝(Al)反射板已主要用于产品，然而，已经追求将材料改为具有更高反射率的金属，从而通过提高亮度获得低功耗。为此，已尝试在滤色器的电极、LCD或OLED线和反射板中使用比平板显示器装置中使用的金属具有更低的比电阻和更高的亮度的银(Ag，比电阻约为1.59μΩ·cm)层、银合金或包括这些的多层，从而实现平板显示器装置的放大、高分辨率和低功耗，而且已经需要开发蚀刻溶液以使用这些材料。然而，银对于下衬底(例如，绝缘衬底例如玻璃，或用本征非晶硅、掺杂非晶硅等形成的半导体衬底)具有极差附着性，因此不易沉积，且容易引起线的鼓起或剥离。此外，当将银(Ag)导电层沉积在衬底上时，使用蚀刻溶液从而使导电层图案化。当在此使用现有的蚀刻溶液作为这样的蚀刻溶液时，银(Ag)被过度蚀刻或不均匀蚀刻，引起线的鼓起或剥离，且线的侧轮廓变差。韩国专利申请公布公开No.10-2008-0110259公开了一种用于银层的蚀刻溶液组合物，包括磷酸、硝酸、醋酸、磷酸一钠(NaH2PO4)等，但具有的问题在于：该蚀刻溶液组合物不能抑制对暴露给焊垫单元的S/D线(Ti/Al/Ti三层)的损害。鉴于以上，需要开发一种能够抑制对暴露给焊垫单元的S/D线(Ti/Al/Ti三层)的损害的、用于银层的蚀刻溶液组合物。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】韩国专利申请公布公开No.10-2008-0110259
技术实现思路
本公开旨在提供一种蚀刻溶液，其能够用于由银(Ag)或银合金形成的单层、以及由该单层与铟氧化物层形成的多层、且优选地由铟氧化物层/银或铟氧化物层/银/铟氧化物层形成的多层，并可用于湿蚀刻以抑制银再吸附现象而不会损害暴露给焊垫单元的数据线，并表现出蚀刻均匀性。本公开还旨在提供使用所述用于银层的蚀刻溶液组合物制作的显示基板和线。鉴于以上，本公开的一方面提供一种用于银(Ag)层的蚀刻溶液组合物，包括：磷酸(H3PO4)，硝酸(HNO3)，醋酸(CH3COOH)，磷酸盐化合物，铝(Al)蚀刻抑制剂，和去离子水。本公开的另一实施方式提供了一种用于制作金属图案的方法，包括：在衬底上形成一层或多层，所述一层或多层选自银或银合金的单层和由银或银合金的单层与铟氧化物层形成的多层；以及用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻以上形成的所述一层或多层。本公开的又一实施方式提供了一种用于制作显示基板的方法，包括：在衬底上形成栅电极；在包括所述栅电极的衬底上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源极和漏极；以及形成与所述漏极连接的像素电极；其中所述在衬底上形成栅电极、在所述半导体层上形成源极和漏极以及形成与所述漏极连接的像素电极中的任何一个或多个包括：形成选自由银或银合金形成的单层和由所述单层与铟氧化物层形成的多层中的一层或多层的过程，以及通过用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻以上形成的所述一层或多层来形成每个电极的过程。附图说明图1是用实施例4中的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻钛/铝/钛时的铝损害评价的照片(侧蚀刻0.1μm以下-非常优秀)；图2是用比较例8中的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻钛/铝/钛时的铝损害评价的照片(侧蚀刻0.4μm以上-差)；图3是用实施例4中的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻铟氧化物层/银/铟氧化物层时的APC蚀刻轮廓评价的照片(侧蚀刻0.3μm以下-非常优秀)；图4是用比较例4中的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻铟氧化物层/银/铟氧化物层时的APC蚀刻轮廓评价的照片(侧蚀刻1μm以上-差)；具体实施方式下面，将详细描述本公开。本公开的实施方式提供了一种用于银层的蚀刻溶液组合物，包括：(a)磷酸(H3PO4)；(b)硝酸(HNO3)；(c)醋酸(CH3COOH)；(d)磷酸盐化合物；(e)钠基化合物；和(f)水。本公开的专利技术人已实验性确认：当在组合物中包括(e)钠基化合物作为铝蚀刻抑制剂并在液晶显示装置的制作中将该组合物用于被用作线和反射层的、由银(Ag)或银合金形成的单层或其多层时，表现出对于图案单元的线和反射层的蚀刻均匀性而并未损害钛/铝/钛中的铝(暴露给焊垫单元的数据线)，且由焊垫单元中的数据线损害引起的银(Ag)再吸附的问题也可以得以改善；并且专利技术人完成了本公开。以下将通过各个组分详细描述本公开。(a)磷酸(H3PO4)本公开中用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的磷酸(H3PO4)是用作主要氧化剂的组分，并起到将铟氧化物层/银(Ag)/铟氧化物层中的银(Ag)和铟氧化物层氧化以及湿蚀刻所得物的作用。相对于蚀刻溶液组合物的总重量，在用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的磷酸(H3PO4)的含量为40重量％至60重量％。低于40重量％的磷酸含量可能引起蚀刻速率降低和蚀刻轮廓缺陷；而当该含量大于60重量％时，铟氧化物层的蚀刻速率降低，且银的蚀刻速率增加太多，从而在上铟氧化物层和下铟氧化物层中引起尖刺，这在后续工艺中引起问题。(b)硝酸(HNO3)在本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的硝酸(HNO3)是用作辅助氧化剂的组分，并起到将铟氧化物层/银(Ag)/铟氧化物层中的银(Ag)和铟氧化物层氧化以及湿蚀刻所得物的作用。相对于蚀刻溶液组合物的总重量，在用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的硝酸(HNO3)的含量为3重量％至8重量％。当硝酸含量低于3重量％时，银(Ag)和ITO的蚀刻速率降低，因此，在衬底中的均匀性变差，引起瑕疵；而当该含量高于8重量％时，上铟氧化物层和下铟氧化物层的蚀刻速率加快，引起在上铟氧化物层和下铟氧化物层中产生切口，这在后续工艺中引起问题。(c)醋酸(CH3COOH)在本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的醋酸(本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于银层的蚀刻溶液组合物，包括：磷酸；硝酸；醋酸；磷酸盐化合物；钠基化合物；和水。

【技术特征摘要】
2015.08.31 KR 10-2015-01230441.用于银层的蚀刻溶液组合物，包括：磷酸；硝酸；醋酸；磷酸盐化合物；钠基化合物；和水。2.根据权利要求1所述的用于银层的蚀刻溶液组合物，包括：相对于所述组合物的总重量，磷酸40重量％至60重量％；硝酸3重量％至8重量％；醋酸5重量％至20重量％；磷酸盐化合物0.1重量％至3重量％；钠基化合物0.1重量％至3重量％；和余量的水。3.根据权利要求1所述的用于银层的蚀刻溶液组合物，其中所述磷酸盐化合物是选自磷酸一钠、磷酸二钠和磷酸三钠中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的用于银层的蚀刻溶液组合物，其中所述钠基化合物是铝蚀刻抑制剂。5.根据权利要求1所述的用于银层的蚀刻溶液组合物，其中所述钠基化合物是选自硝酸钠、硫酸钠、亚硝酸钠、亚硫酸钠和醋酸钠中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的用于银层的蚀刻溶液组合物，其蚀刻由银或银合金形成的单层，以及由所述单层和铟氧化物层形成的多层。7.根据权利要求6所述的用于银层的蚀刻溶液组合物，其中所述铟氧化物是选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：安基熏，沈庆辅，张晌勋，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR