【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种抗蚀剂剥离液组合物和使用该组合物的图案形成方法。更具体地说，本专利技术涉及一种含有剥离液化合物和溶剂的抗蚀剂剥离液组合物，以及使用该组合物的图案形成方法。
技术介绍
1、在半导体制造工序和显示设备的面板工序中，进行了使用光刻胶的工序。例如，可在基板上形成光刻胶层，并可以对光刻胶层进行曝光和显影以形成光刻胶图案。
2、光刻胶图案可用作各种掩膜图案，如蚀刻掩膜、布线形成掩膜、离子注入工序掩膜等。进行上述工序后，可通过剥离工序和/或灰化工序去除光刻胶图案或掩膜图案。
3、例如，可以通过在光刻胶图案上供应或喷洒含有具有剥离特性的化合物的剥离溶液来剥离光刻胶图案。
4、为了提高光刻胶图案的剥离效率，剥离溶液优选对光刻胶中所含的聚合物材料有足够的溶解性。
5、如果剥离溶液的溶解性不足，剥离的光刻胶残留物可能会残留在基板上，从而降低半导体设备或显示设备的可靠性，并造成产品缺陷。
6、例如，韩国公开专利申请第10-2016-0033855号公开了一种含有烷醇胺的抗蚀剂剥离液组合物，但如上所述，由于溶解性不足，该组合物可以导致光刻胶残留。
技术实现思路
1、[技术目的]
2、根据本专利技术的一个方面，提供了一种抗蚀剂剥离液组合物，该组合物具有提高的剥离效率和可靠性。
3、根据本专利技术的一个方面，提供了一种使用该剥离液组合物的图案形成方法。
4、[技术方案]
5、1.一种抗蚀
6、2.根据上述1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述极性有机溶剂包括二甲基亚砜。
7、3.根据上述1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述碱性化合物进一步包括胺基化合物。
8、4.根据上述3所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述胺基化合物包括烷氧基烷基胺。
9、5.根据上述1所述的抗蚀剂剥离液组合物，基于所述抗蚀剂剥离液组合物的总重量，包括：
10、0.1至5重量％的氢氧化铵基化合物；4至40重量％的乙醇；以及55至95重量％的极性有机溶剂。
11、6.根据上述5所述的抗蚀剂剥离液组合物，基于所述抗蚀剂剥离液组合物的总重量，进一步包括0.1至5重量％的去离子水。
12、7.根据上述6所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述氢氧化铵基组合物的含量与所述去离子水的含量之差为2重量％或更少。
13、8.一种图案形成方法，包括：在基板上形成光刻胶图案；使用所述光刻胶图案形成导电图案；以及使用根据上述实施方式的抗蚀剂剥离液组合物去除所述光刻胶图案。
14、9.根据上述8所述的图案形成方法，其中，去除所述光刻胶图案包括使用所述抗蚀剂剥离液组合物从所述光刻胶图案下部去除光刻胶图案。
15、10.根据上述9所述的图案形成方法，其中，所述光刻胶图案包括从所述基板上依次形成的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，其中，使用所述抗蚀剂剥离液组合物预先去除所述第一光刻胶图案。
16、11.根据上述8所述的图案形成方法，进一步包括在形成所述光刻胶图案之前在所述基板上形成导电层。
17、12.根据上述8所述的图案形成方法，其中，形成多个所述光刻胶图案，并形成包括用导电材料填充相邻所述光刻胶图案之间的空间的导电图案。
18、[有益效果]
19、根据本专利技术的实施方式，抗蚀剂剥离液组合物可包括碱性化合物、乙醇和极性有机溶剂。乙醇在碱性化合物和光刻胶成分中具有提高的溶解性。因此，可以溶解和去除剥离的光刻胶成分，同时通过与碱性化合物和光刻胶的接触增加光刻胶剥离效率。因此，可以防止剥离工序后产生光刻胶残留物，并可以提高剥离速率/效率。
20、在一些实施方式中，剥离液组合物可以包括作为极性有机溶剂的二甲基亚砜，并可有效促进光刻胶的溶胀，从而进一步提高剥离速率/效率。
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1.一种抗蚀剂剥离液组合物，包括：
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述极性有机溶剂包括二甲基亚砜。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述碱性化合物进一步包括胺基化合物。
4.根据权利要求3所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述胺基化合物包括烷氧基烷基胺。
5.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，基于所述抗蚀剂剥离液组合物的总重量，包括，
6.根据权利要求5所述的抗蚀剂剥离液组合物，基于所述抗蚀剂剥离液组合物的总重量，进一步包括0.1重量％至5重量％的去离子水。
7.根据权利要求6所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述氢氧化铵基组合物的含量与所述去离子水的含量之差为2重量％或更少。
8.一种图案形成方法，包括：
9.根据权利要求8所述的图案形成方法，其中，去除所述光刻胶图案包括使用所述抗蚀剂剥离液组合物从所述光刻胶图案下部去除光刻胶图案。
10.根据权利要求9所述的图案形成方法，其中，所述光刻胶图案包括从所述基板上依次形成的第一光刻胶图案
11.根据权利要求8所述的图案形成方法，进一步包括在形成所述光刻胶图案之前在所述基板上形成导电层。
12.根据权利要求8所述的图案形成方法，其中，形成多个所述光刻胶图案，并形成包括用导电材料填充相邻所述光刻胶图案之间的空间的导电图案。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种抗蚀剂剥离液组合物，包括：
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述极性有机溶剂包括二甲基亚砜。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述碱性化合物进一步包括胺基化合物。
4.根据权利要求3所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述胺基化合物包括烷氧基烷基胺。
5.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，基于所述抗蚀剂剥离液组合物的总重量，包括，
6.根据权利要求5所述的抗蚀剂剥离液组合物，基于所述抗蚀剂剥离液组合物的总重量，进一步包括0.1重量％至5重量％的去离子水。
7.根据权利要求6所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述氢氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：金圣植，姜韩星，金正铉，房淳洪，赵亨镇，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：
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