一种厚胶正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法技术

本申请提供一种厚胶正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法，涉及光刻机技术领域。本申请的厚胶正性光刻胶，按质量份数计，包括：30份‑70份的酚醛树脂、20份‑40份的含硅共聚物成膜树脂、10份‑20份的光敏化合物、0.01份‑1份的流平剂和80份‑150份的溶剂。其中，含硅共聚物成膜树脂的结构包括：式中的R选自H或C<subgt;1</subgt;‑C<subgt;5</subgt;的烷基。本申请通过在酚醛树脂中添加含硅共聚物成膜树脂，利用该成膜树脂的热稳定性、耐高温性、机械性能、抗侵蚀性等，提高了光刻胶层的粘附性、柔韧性、热稳定性和机械强度，还能防止光刻胶层的胶膜开裂、图型变形甚至脱落等。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光刻胶，尤其涉及一种厚胶正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法。

技术介绍

1、在先进互连技术中，晶圆级芯片尺寸封装上用于电流传输的焊接凸点、金凸点、铜柱以及铜线等都需要用到光阻层，然后才能通过电镀形成最后金属结构，那么厚膜光刻胶则是这些封装工艺中所必须的关键材料。例如，焊接凸点间距通常只有150um，所以要求光刻胶的厚度在50到100um之间；金凸点主要用于tab与cog技术，间距细时通常会低至40um，有时凸点之间相隔只有10um，但是精度与光刻胶层的侧壁角度十分重要，因为光刻胶层的形状将决定金属凸点的最终形状。

2、然而，随着光刻胶层膜厚的增加，在光刻工艺中不仅要求必要的光敏性，同时胶膜在电镀及刻蚀过程中必须保持不变形、不开裂，即要有良好的粘附性、抗电镀及抗刻蚀性能。一般使用的负性紫外光刻胶，由于高度交联后分子链非常僵硬，在光刻工艺中易产生内应力，而出现图型变形、胶膜开裂，甚至脱落的现象，无法达到工艺要求。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种成厚胶正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种厚胶正性光刻胶，其特征在于，按质量份数计，所述厚胶正性光刻胶的原料组分包括：

2.如权利要求1所述的厚胶正性光刻胶，其特征在于，所述酚醛树脂由甲基苯酚与甲醛经缩聚反应制备得到；

3.如权利要求1所述的厚胶正性光刻胶，其特征在于，所述含硅共聚物成膜树脂的平均分子量为10000-80000，分子量分布为2.3-2.6。

4.如权利要求1所述的厚胶正性光刻胶，其特征在于，所述含硅共聚物成膜树脂由烯丙基醚、乙烯基五甲基二硅氧烷以及符合化学通式(Ⅱ)的单体在引发剂存在的条件下经共聚反应制备得到；

5.如权利要求4所述的厚胶正性光刻胶，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种厚胶正性光刻胶，其特征在于，按质量份数计，所述厚胶正性光刻胶的原料组分包括：

2.如权利要求1所述的厚胶正性光刻胶，其特征在于，所述酚醛树脂由甲基苯酚与甲醛经缩聚反应制备得到；

3.如权利要求1所述的厚胶正性光刻胶，其特征在于，所述含硅共聚物成膜树脂的平均分子量为10000-80000，分子量分布为2.3-2.6。

4.如权利要求1所述的厚胶正性光刻胶，其特征在于，所述含硅共聚物成膜树脂由烯丙基醚、乙烯基五甲基二硅氧烷以及符合化学通式(ⅱ)的单体在引发剂存在的条件下经共聚反应制备得到；

5.如权利要求4所述的厚胶正性光刻胶，其特征在于，所述引发剂包括偶氮类引发剂、有机过氧类引发剂中的至少一种。

6.如权利要求1所述的厚胶正性光刻胶，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：相可创，岳爽，吴京玮，
申请(专利权)人：阜阳欣奕华材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：