【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及用于校正光刻设备和系统中的照射不均匀性的系统和方法。
技术介绍
1、光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将可互换地地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在所形成的ic的单层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网格。传统的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分，在扫描器中，通过在辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时平行或反向平行(反向)于这个扫描方向同步地扫描所述目标部分来辐照每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。
2、随着半导体制造过程持续进步，几十年来，在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律(moore’s law)”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。
3、极紫外(euv
4、产生euv光的方法包括但不一定限于将具有发射线在euv范围内的元素(例如，氙(xe)、锂(li)或锡(sn))的材料转换成等离子体状态。例如，在一种被称为激光产生等离子体(lpp)的方法中，等离子体可以通过用可以被称为驱动激光器的经放大的光束辐照目标材料来产生，所述目标材料在lpp源的情境中可互换地被称为燃料，例如呈材料的液滴、板、带、流或簇的形式的燃料。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空腔室)中产生，并使用各种类型的量测装备来监测。
5、光刻设备通常包括照射系统，所述照射系统在辐射入射到图案形成装置上之前调节由辐射源产生的辐射。照射系统可以例如修改辐射的一个或更多个性质，诸如偏振和/或照射模式。照射系统可以包括均匀性校正系统，所述均匀性校正系统校正或减少辐射中存在的不均匀性(例如，强度不均匀性)。均匀性校正装置可以采用插入到辐射束的边缘中以校正强度变化的致动指状物组件。可以由均匀性校正系统调整的照射的空间宽度依赖于(尤其是)指状物组件的尺寸和用于使指状物组件在均匀性校正系统中移动的致动装置的尺寸。修改来自已知工作设计的指状物参数不是微不足道的，因为这样的修改可能导致辐射束的一个或更多个性质的不期望的改变。
6、为了在图案形成装置和衬底上实现图像质量的公差，期望具有受控均匀性的照射束。照射束在反射离开或透射通过图案形成装置之前通常具有不均匀的强度轮廓。期望在光刻过程的各个阶段控制照射束以实现改善的均匀性。均匀性可以指横跨照射束的相关横截面的恒定强度，但也可指控制照射以实现选定均匀性参数的能力。图案形成装置将图案施加到辐射束上，然后辐射束被投影到衬底上。该投射束的图像质量受所述束的均匀性的影响。
技术实现思路
1、因此，期望控制照射均匀性，使得光刻工具尽可能高效地执行光刻过程，以最大化制造能力和产率，从而最小化制造缺陷，并且降低每个器件的成本。
2、本公开描述了用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的系统、设备和方法的各个方面。
3、在一些方面中，本公开描述了一种系统。所述系统可以包括均匀性校正系统，所述均匀性校正系统包括多个指状物组件和一控制器。所述多个指状物组件可以限定均匀性校正系统的最大曝光场，并且所述多个指状物组件的子集可以限定用于晶片曝光操作的曝光场。所述控制器可以被配置成确定所述曝光场是否小于所述最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，控制器还可以被配置成修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据。随后，控制器可以被配置成基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定在所述多个指状物组件的所述子集中的指状物组件的最优位置。
4、在一些方面中，最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度，并且曝光场可以对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。在一些方面中，最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的全场，并且曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的部分场(例如，经移位的或可能移位的半场)。
5、在一些方面中，所述均匀性校正系统还可以包括运动控制系统，所述运动控制系统被联接到所述指状物组件并且被配置成调整所述指状物组件的所述最优位置。在一些方面中，控制器还可以被配置成确定所述指状物组件的形状的变化。
6、在一个示例中，所述控制器还可以被配置成基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于深紫外(duv)辐射或极紫外(euv)辐射的生长来确定所述指状物组件的指状物尖端的光学边缘的位置的变化，和基于指状物组件的指状物尖端的光学边缘的位置的所确定的变化来确定指状物组件的形状的变化。
7、在另一示例中，控制器还可以被配置成测量被设置在指状物组件上的参考标记的位置的变化，和基于参考标记的位置的所测量的变化来确定指状物组件的形状的变化。
8、在一些方面中，所述控制器还可以被配置成产生控制信号，所述控制信号被配置成指示所述运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和指状物组件的形状的所确定的变化来调整指状物组件的最优位置，以及将所述控制信号传输至所述运动控制系统。
9、在一些方面中，本公开描述了一种设备。所述设备可以包括控制器，所述控制器被配置成确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，控制器还可以被配置成修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据。随后，所述控制器可以被配置成基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。
10、在一些方面中，所述均匀性校正系统可以包括多个指状物组件。在一些方面中，最大曝光场可以由多个指状物组件限定，并且曝光场可以由多个指状物组件的子集限定。在一些方面中，所述多个指状物组件的所述子本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中：
3.根据权利要求1所述的系统，其中：
4.根据权利要求1所述的系统，其中：
5.根据权利要求4所述的系统，其中，所述控制器还被配置成：
6.根据权利要求4所述的系统，其中，所述控制器还被配置成：
7.一种设备，包括：
8.根据权利要求7所述的设备，其中：
9.根据权利要求7所述的设备，其中：
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述控制器还被配置成：
11.根据权利要求9所述的设备，其中，所述控制器还被配置成：
12.一种用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的方法，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中：
14.根据权利要求12所述的方法，还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，确定所述指状物组件的形状的所述第一变化包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中：
3.根据权利要求1所述的系统，其中：
4.根据权利要求1所述的系统，其中：
5.根据权利要求4所述的系统，其中，所述控制器还被配置成：
6.根据权利要求4所述的系统，其中，所述控制器还被配置成：
7.一种设备，包括：
8.根据权利要求7所述的设备，其中：
9.根据权利要求7所述的设...
【专利技术属性】
技术研发人员：托德·R·丹尼，M·曼卡，W·戈穆亚，K·K·曼卡拉，J·奈斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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