用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法技术

公开了用于蚀刻银(Ag)或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法，和使用其制备用于有机发光显示器(OLED)的阵列基板的方法。当蚀刻银或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层时，蚀刻剂组合物可表现出均匀蚀刻性能，并不伤害下数据线层或产生残渣，并能够阻止银被再吸附到金属线，因此减少缺陷率，从而实现具有高分辨度、大尺寸，和低耗电的有机发光显示器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于蚀刻银(Ag)或银合金单层，或包括银(Ag)或银合金单层和氧化铟层的多层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法，和使用其制备用于有机发光显示器(OLED)的阵列基板的方法。
技术介绍
有机发光二极管包括两个相反的电极和在多层结构之间提供的具有半导体性能的有机层。这种有机发光装置采用通过使用有机材料将电能转换成光能的现象，也就是，有机发光现象。特别地，有机发光二极管为自发光显示装置，其中分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在有机(单体/低聚物或多聚物)层中重组以形成激子，之后由来自所形成的激子的能量在特定的波长产生光。在平板显示装置中，有机发光显示器(OLED)为自发光装置，而且排除了用在非发光液晶显示装置中的背光单元，并且可以因此以轻便和纤细装置的形式被提供。而且，与液晶显示装置相比，有机发光显示器由于其宽视角、高对比度、低耗电、低直流电压操作，和响应速度快是有利的。此外，由于其配置为使其内部构造是实心的，其可有力地抵抗外界冲击并具有广泛的可用温度范围。由于有机发光显示器的面积逐渐增大，连接到薄膜晶体管的栅极线和数据线被加长，导致线电阻被增大。为此，铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)及其合金作为用于薄膜晶体管(TFT)的栅极线和数据线的常规使用使得难以实现具有大尺寸和高分辨度的平板显示装置。旨在解决由于电阻增加而引起的信号延迟的问题，栅极线和数据线需要使用具有尽可能低电阻率的材料形成。为此，已经尝试将与用在平板显示装置中的金属相比具有低电阻率
和高亮度的银(Ag:大约1.59μΩcm的电阻率)层，银合金层，或包括银层和银合金层的多层应用到彩色滤光片的电极，OLED线和反射板上以实现具有大尺寸，高分辨度和低耗电的平板显示装置。因此，适合用在这材料中的蚀刻剂正在被开发。然而，银对下基板具有较差的粘附性，所述下基板包括如玻璃基板或由固有非晶硅或掺杂非晶硅制备的半导体基板等的绝缘基板，而且因此其不易沉积，并且所述线可以被轻易提起或剥落。还有，在银导电层沉积在基板上的情况下，当用常规蚀刻剂来使这种导电层形成图案时，银被过量刻蚀或不均匀刻蚀，因此引起所述线的提起或剥落并劣化所述线的侧面轮廓。旨在解决这些问题，正在进行深入研究新的蚀刻剂。在这方面，韩国专利申请公开号2009-0112112公开了蚀刻剂组合物，包括硝酸铁、氟化化合物、硝酸、乙酸、氯化铜，和水。然而，使用上述蚀刻剂组合物蚀刻银或银合金的过程中，银可能不被期望地再吸附到下绝缘层或金属线，如Mo、Al和Cu等，其在衬垫部分开口，因此引起黑点。因此，需要用于蚀刻银薄层的能够解决所述问题的蚀刻剂组合物。【引用列表】【专利文献】专利文件：韩国专利申请公开号2009-0112112
技术实现思路
因此，本专利技术的目的为提供蚀刻剂组合物，使得当蚀刻银或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层时，其可以不产生残渣同时阻止银被再吸附到金属线，而且可以表现出优异的蚀刻速率。为了达到上述目的，本专利技术提供用于蚀刻银(Ag)或银合金单层，或包括银(Ag)或银合金单层和氧化铟层的多层的蚀刻剂组合物，包括：0.2-5wt％的铁盐，3-8wt％的硝酸，1-20wt％的乙酸，0.1-10wt％的氨基磺酸，和剩余部分的去离子水。在本专利技术的实施方式中，铁盐可以包括选自由硝酸铁、氯化铁、硫酸铁、硫酸铁铵、高氯酸铁，和磷酸铁组成的组中的至少一种。在本专利技术的另一个实施方式中，氧化铟层可以包括选自由氧化铟锡
(ITO)层、氧化铟锌(IZO)层、氧化铟锡锌(ITZO)层，和氧化铟镓锌(IGZO)层组成的组中的至少一种。此外，本专利技术提供形成金属图案的方法，包括：在基板上形成选自银(Ag)或银合金单层，和包括银或银合金单层和氧化铟层的多层中的一层或多层；并且使用上述蚀刻剂组合物蚀刻所述一层或多层。在本专利技术的实施方式中，上述方法可进一步包括在形成所述的一层或多层之后在所述的一层或多层上形成光致抗蚀剂图案。此外，本专利技术提供制作用于有机发光显示器的阵列基板的方法，包括：a)在基板上形成栅电极；b)在包括栅电极的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成半导体层；d)在半导体层上形成源极电极和漏极电极；和e)形成连接到漏极电极的像素电极，其中a)，d)和e)的至少一个包括形成选自银或银合金单层，和包括银或银合金单层和氧化铟层的多层中的一层或多层，并且使用上述蚀刻剂组合物蚀刻所述的一层或多层，因此形成相应的电极。在本专利技术的实施方式中，用于有机发光显示器的阵列基板可以为薄膜晶体管(TFT)阵列基板。根据本专利技术，当蚀刻银或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层时，蚀刻剂组合物可表现出均匀蚀刻性能，并不伤害下数据线层或产生任何残渣。特别地，蚀刻剂组合物能够阻止银被再吸附到金属线，因此减少缺陷率从而实现具有高分辨率、大尺寸，和低耗电的有机发光显示器。附图说明本专利技术的上述和其他目的，特征和优势将从以下结合附图的详细描述中更清楚地被理解，其中：图1示出当使用实施例1的蚀刻剂组合物时再吸附和残渣测试结果；图2示出当使用实施例2的蚀刻剂组合物时再吸附和残渣测试结果；图3示出当使用比较例1的蚀刻剂组合物时再吸附和残渣测试结果；图4示出当使用比较例2的蚀刻剂组合物时再吸附和残渣测试结果。具体实施方式本专利技术涉及用于蚀刻银(Ag)或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法，和使用其制作用于有机发光显示器(OLED)的阵列基板的方法。根据本专利技术所述的蚀刻剂组合物包含氨基磺酸，由此阻止银被再吸附到在衬垫部分中开口的下金属层(Mo,Ti,Cu)或下绝缘层，因此控制如黑点等缺陷的产生。在下文中，将给出本专利技术的详细的描述。本专利技术提出用于蚀刻银或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层的蚀刻剂组合物，包括：0.2-5wt％的铁盐，3-8wt％的硝酸，1-20wt％的乙酸，0.1-10wt％的氨基磺酸，和剩余部分的去离子(DI)水。在本专利技术中，银合金主要由Ag组成，并可以包括Nd,Cu,Pd,Nb,Ni,Mo,Ni,Cr,Mg,W,Pa和Ti，或可以以银的氮化物、硅化物、碳化物、或氧化物的形式被提供。在本专利技术中，氧化铟可以包括，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)，和氧化铟镓锌(IGZO)。在本专利技术中，铁盐起到通过接收电子减少从蚀刻剂组合物释放的Fe离子并且氧化银和在氧化铟层/银/氧化铟层中的氧化铟层的氧化剂作用以使得银和氧化铟层被湿蚀刻。铁盐优选使用基于蚀刻剂组合物的总重量的3-8wt％的量。如果铁盐的量少于3wt％，可能降低银和氧化铟层的蚀刻速率，不被期望地在基板中产生残渣和斑点。另一方面，如果其量超过8wt％，可能过量增加上和下氧化铟层的蚀刻速率，不被期望地引起上和下氧化铟层的过度蚀刻，因此在后续过程中引起问题。铁盐可以包括选自由硝酸铁、氯化铁、硫酸铁、硫酸铁铵、高氯酸铁，和磷酸铁组成的组中至少一种。在本专利技术中，硝酸(HNO3)用作氧化剂，起到氧化银和在氧化铟层/银/氧化铟层中的氧化铟层的作用，以使银和氧化铟层被湿蚀刻。在此，硝酸优选使用基于蚀刻剂组合物的总重量的3-8wt％的量。如果硝酸的本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于蚀刻银或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层的蚀刻剂组合物，包括：0.2‑5wt％的铁盐，3‑8wt％的硝酸，1‑20wt％的乙酸，0.1‑10wt％的氨基磺酸，和剩余部分的去离子水。

【技术特征摘要】
2015.02.16 KR 10-2015-00231831.用于蚀刻银或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层的蚀刻剂组合物，包括：0.2-5wt％的铁盐，3-8wt％的硝酸，1-20wt％的乙酸，0.1-10wt％的氨基磺酸，和剩余部分的去离子水。2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述铁盐包括选自由硝酸铁、氯化铁、硫酸铁、硫酸铁铵、高氯酸铁，和磷酸铁组成的组中的至少一种。3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述氧化铟层包括选自由氧化铟锡层、氧化铟锌层、氧化铟锡锌层，和氧化铟镓锌层组成的组中的至少一种。4.形成金属图案的方法，包括：在基板上形成选自银或银合金单层，和包括银或银合金单层和氧化铟层的多层中...

【专利技术属性】
技术研发人员：权玟廷，安基熏，李昔准，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR