用于图案处理的组合物和方法技术

本申请提供一种包含嵌段共聚物和有机溶剂的图案处理组合物。还提供使用所描述的组合物的图案处理方法。所述图案处理组合物和方法在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于提供高分辨率图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及电子装置的制造。更确切地说，本专利技术涉及用于处理图案的组合物和使用所述组合物的图案处理方法。所述组合物和方法发现在用于形成精细图案的负型显影收缩工艺中制造半导体装置的具体用途。
技术介绍
在半导体制造业中，使用光致抗蚀剂材料将图案转移到安置在半导体衬底上的一个或多个底层，例如金属、半导体和介电层，以及所述衬底本身。为了提高半导体装置的集成密度和允许形成尺寸在纳米范围内的结构，已开发且继续开发具有高分辨率能力的光致抗蚀剂和光刻处理工具。正型化学放大光致抗蚀剂常规地用于使用正型显影(PTD)方法的高分辨率处理。在PTD方法中，光致抗蚀剂层的曝光区域可溶于显影剂溶液(通常水性碱性显影剂)中，且从衬底表面去除，而不溶于显影剂的未曝光区在显影之后保留以形成正像。为了改进光刻性能，已开发浸没光刻工具以有效地提高成像装置，例如具有KrF或ArF光源的扫描仪的镜头的数值孔径(NA)。这通过在成像装置的最后一个表面与半导体晶片的上表面之间使用相对高折射率流体(即浸没流体)实现。从材料和处理观点已作出大量努力使实际分辨率延伸超过正型显影实现的分辨率。一个这类实例为负型显影(NTD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案处理组合物，其包含嵌段共聚物和有机溶剂，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一单体形成的单元，所述第一单体包含烯系不饱和可聚合基团和氢受体基团，其中所述氢受体基团是含氮基团，并且所述第二嵌段包含由第二单体形成的单元，所述第二单体包含烯系不饱和可聚合基团和芳香族基团，其限制条件是所述第二单体不是苯乙烯，并且其中：(i)所述第二嵌段包含由第三单体形成的单元，所述第三单体包含烯系不饱和可聚合基团，并且所述第二单体与所述第三单体不同；和/或(ii)所述嵌段共聚物包含第三嵌段，所述第三嵌段包含由第四单体形成的单元，所述第四单体包含烯系不饱和可聚合基团。

【技术特征摘要】
2015.06.03 US 62/1705261.一种图案处理组合物，其包含嵌段共聚物和有机溶剂，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一单体形成的单元，所述第一单体包含烯系不饱和可聚合基团和氢受体基团，其中所述氢受体基团是含氮基团，并且所述第二嵌段包含由第二单体形成的单元，所述第二单体包含烯系不饱和可聚合基团和芳香族基团，其限制条件是所述第二单体不是苯乙烯，并且其中：(i)所述第二嵌段包含由第三单体形成的单元，所述第三单体包含烯系不饱和可聚合基团，并且所述第二单体与所述第三单体不同；和/或(ii)所述嵌段共聚物包含第三嵌段，所述第三嵌段包含由第四单体形成的单元，所述第四单体包含烯系不饱和可聚合基团。2.根据权利要求1所述的图案处理组合物，其中所述含氮基团选自胺、酰胺和吡啶。3.根据权利要求2所述的图案处理组合物，其中所述第一单体是甲基丙烯酸N,N-二甲氨基乙酯或乙烯基吡啶。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的图案处理组合物，其中所述第二单体具有以下通式(I)：其中：R1选自氢和C1到C3烷基或卤烷基；R2独立地选自氢、卤素和任选地被取代的烷基、芳基或芳烷基，并且任选地包括一个或多个选自-O-、-S-、-C(O)O-和-OC(O)-的连接部分，其中两个或更多个R2基团任选地形成一个或多个环；并且a是整数0到5，其中当a是0时，R1不是氢。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·吉安，M·李，H·周，J·K·朴，P·D·胡斯泰特，J·W·成，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，陶氏环球技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US