用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物及使用其制作显示基板的方法技术

公开了用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物及使用其制作显示基板的方法，其中蚀刻剂组合物不包含对环境有害的硫酸，蚀刻后不产生残留物，并且在蚀刻过程中不损害如由Cu，Ti，Mo或Al制成的下层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物及使用其制作显示基板的方法。
技术介绍
通常，显示面板包括具有作为用于驱动像素的开关元件的薄膜晶体管的显示基板。该显示基板包括多个金属图案，并且该金属图案主要通过光刻形成。该光刻工艺包括在将被刻蚀并在基板上存在的薄层上形成光致抗蚀剂层，曝光和显影该光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案，并使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻屏障用蚀刻剂蚀刻所述薄层，因此使薄层图案化。在蚀刻薄层的过程中，使用蚀刻剂去除与由光致抗蚀剂图案暴露区域相应的薄层部分，而且暴露被去除薄层下方的下薄层。因此，暴露的下薄层接触到蚀刻剂，不被期望地由于蚀刻剂损害下薄层。用以蚀刻氧化铟层的蚀刻剂的例子可能包括王水类蚀刻剂(韩国专利申请公开号1996-002903)，氯化铁类蚀刻剂(美国专利号5,456,795)，和草酸蚀刻剂(韩国专利申请公开号2000-0017470)，其可能具有高化学活性，因此易损害下薄层。为了解决此问题，公开了(韩国专利申请公开号2005-0077451)用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，包括作为主要氧化剂的硫酸和作为辅助氧化剂的硝酸或高氯酸。上述蚀刻剂组合物可能在蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，包括：3‑10wt％的硝酸，3‑10wt％的磺酸，0.1‑5wt％的阻蚀剂，0.1‑5wt％的环胺化合物，和剩余部分的水。

【技术特征摘要】
2015.03.05 KR 10-2015-00309891.用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，包括：3-10wt％的硝酸，3-10wt％的磺酸，0.1-5wt％的阻蚀剂，0.1-5wt％的环胺化合物，和剩余部分的水。2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述磺酸包括选自由甲基磺酸、对甲苯磺酸、氨基磺酸，和萘酚磺酸组成的组中的至少一个。3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述阻蚀剂包括选自由CH3COONH4,NH4SO3NH2,NH4C6H4(OH)2,NH2COONH4,NH4Cl,NH4H2PO4,NH4COOH,NH4HCO3,H4NO2CCH2C(OH)(CO2NH4)CH2CO2NH4,OC(CO2H)(CH2CO2NH4)2,NH4NO3,(NH4)2S2O8,H2NSO3NH4,和(NH4)2SO4组成的组中的至少一个。4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述环胺化合物包括选自由吡咯类化合物，吡唑类化合物，咪唑类化合物，三唑类化合物，四唑类化合物，五唑类化合物，恶唑类化合物，异恶唑类化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘仁浩，南基龙，李承洙，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR