配线图案形成方法、TFT用源电极和漏电极的形成方法技术

提供一种配线图案的形成方法，其中包括：向被围堰图案镶边的图案形成区域中所定的部分喷出液体状导电性材料的液滴，形成将图案形成区域覆盖的导电性材料层的步骤（Ａ）。若将沿着部分的Ｘ轴方向的长度定为Ｌ，将沿着Ｙ轴方向长度定为Ｍ，则被喷出液滴的直径Φ，处于Ｌ以下和Ｍ以下。而且步骤（Ａ）包括喷出液滴，使液滴的中心与围堰图案间距离至少为直径Φ的１／２倍位置上的步骤（ａ１）。通过用液滴喷出装置喷出液滴，设置ＴＦＴ用源电极或漏电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及采用液滴喷出法的配线图案形成方法，具体讲涉及适于TFT用源电极和漏电极形成的配线图案形成方法。
技术介绍
利用喷墨法形成金属配线的技术是已知的(例如参见专利文献1)。专利文献1特开2004-6578号公报采用喷墨法形成TFT用源电极和漏电极的情况下，当将源电极和漏电极的形状镶边的围堰图案(bank pattern)形成之后，用液滴喷出装置向该围堰图案的内侧喷出导电性材料的液滴。这种情况下，喷出导电性材料的液滴需要使形成后的源电极和漏电极确实实现电学上的分离。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于上述课题而提出的，其目的之一在于提供一种利用液滴喷出装置喷出液滴来设置TFT用的源电极和漏电极。本专利技术的配线图案的形成方法，是采用液滴喷出法喷出液体状导电性材料的液滴，在基体上由围堰图案镶边、并具有第一方向的长度为L的同时与所述第一方向正交的第二方向长度为M的部分(section)的图案形成区域内设置配线图案的形成方法。这种配线图案形成方法，具有向所述部分喷出直径处于所述L以下、同时处于所述M以下的所述液滴，形成将所述部分覆盖的所述导电性材料层的步骤(A)。而且所述步骤(A)包括喷出所述液滴，以使所述液滴的中心与所述围堰图案间距离至少为所述直径的1/2倍位置上的步骤(a1)。根据上述构成可以获得的效果之一是，在围堰图案上不会产生液体状导电性材料的残渣。所述步骤(A)，优选包括在所述图案形成区域中仅在所述部分喷出所述液滴，依靠所述液滴的自身流动在所述图案形成区域形成所述导电性材料层的步骤(a2)。根据上述构成可以获得的效果之一是，能够使在上述部分以外的上述图案形成区域部分的尺寸小于液滴的尺寸。本专利技术的配线图案的形成方法，是用液滴喷出法喷出异种液体状导电性材料的液滴，在基体上由围堰图案镶边、并具有第一方向的长度为L的同时与所述第二方向的长度为M的部分的图案形成区域内层叠异种的导电层的配线图案形成方法。这种配线图案的形成方法，包括向所述部分喷出具有处于所述L以下的同时处于所述M以下的直径的第一导电性材料的液滴，形成第一导电性材料层的第一步骤；烧成所述第一导电性材料层后形成第一导电层的第二步骤；向所述部分喷出具有所述直径的第二导电性材料的液滴，在所述第一导电层上形成第二导电性材料层的第三步骤；和烧成所述第二导电性材料层后形成第二导电层的第四步骤。而且，所述第一步骤和所述第三步骤中至少一个步骤，是喷出所述液滴使所述液滴的中心与所述围堰图案间距离至少为所述直径的1/2倍的位置上的步骤。根据上述构成可以获得的效果之一是，在围堰图案上不会产生液体状导电性材料的残渣。所述第一步骤和所述第三步骤中至少一个步骤，优选是在所述图案形成区域中仅在所述部分上喷出所述液滴，根据所述液滴的自身流动在所述图案形成区域上形成所述导电性材料层的步骤。根据上述构成可以获得的效果之一是，能够使上述部分以外的上述图案形成区域部分的尺寸小于液滴的尺寸。按照本专利技术的某个实施方式，TFT用源电极的形成方法，包含有上述配线图案形成方法。其中所述图案区域是形成源配线的区域，所述部分是所述源配线中形成源电极的区域。根据上述构成可以获得的效果之一是，能够利用液滴喷出装置形成电学特性良好的TFT元件。按照本专利技术的某个实施方式，TFT用漏电极的形成方法包含有上述配线图案形成方法。其中所述区域是形成漏配线的区域，所述部分是形成漏电极的区域。根据上述构成可以获得的效果之一是，能够利用液滴喷出装置形成电学特性良好的TFT元件。附图说明图1是表示用本实施方式的图案形成方法形成的源配线和漏电极的示意图。图2是表示本实施方式的器件制造装置的示意图。图3是表示本实施方式的液滴喷出装置的示意图。图4(a)和(b)是表示本实施方式的液滴喷出装置中的喷头的示意图。图5是表示本实施方式的液滴喷出装置中的控制装置的方框图。图6(a)～(c)是与图7中U’-U断面对应的图，表示本实施方式的TFT元件制造工序的图。图7是表示包围本实施方式的二维形状的图案形成区域的示意图。图8(a)～(d)是与图7中U’-U断面对应的图，表示本实施方式的配线图案形成方法的图。图9是表示用本实施方式的配线形成方法形成的TFT元件，和形成了TFT元件的基板元件侧基板的示意图。图10(a)～(c)是表示本实施方式的电子仪器的示意图。图中AP1、AP2…开口部，S…表面，1…器件制造装置，8A…导电性材料，8B…导电性材料层，10…基体，10A…基板，10B…元件侧基板，12…HMDS层，18…围堰图案，24SA…第一部分，24D…图案形成区域，24S…图案形成区域，33…源配线，33A…第一部分，33B…第二部分，34…栅极配线，35…半导体层，36…像素电极，37D…接合层，37S…接合层，41P…取向膜，42…栅极绝缘膜，44…TFT元件，44D…漏电极，44G…栅极电极，44S…源电极，45…层间绝缘层，45A…第二绝缘层，45B…第二绝缘层，45C…接触孔，46…围堰图案，100…液滴喷出装置，114…喷头，118…喷嘴。具体实施例方式图1表示的多个源配线33和多个漏电极44D，分别与本专利技术的“配线图案”对应。这些多个的源配线33和漏电极44D，可以用后述的器件制造装置1(图2)形成。多个源配线33中的每个均包含多个第一部分33A和多个第二部分33B。多个第一部分33A中的每个，均是沿着A轴方向延伸的条状部分。另一方面，多个第二部分33B中的每个，均是从对应的第一部分33A向B轴方向突出的部分。其中所述A轴方向和B轴方向，是互相垂直的方向。而且A轴方向和B轴方向，也是规定被固定在基体10(图3)上的座标系的方向。此外正如后述那样，与A轴方向和B轴方向二者平行的一个面，是基板10A的表面S(图6)。多个第一部分33A中的每个，均由互相连接的宽幅部分33AW和窄幅部分3AN构成。窄幅部分33AN沿着B轴方向的长度(即宽度)，比宽幅部分33AW的长度短。另外，源配线33在窄幅部分33AN中与后述的栅极配线34(图6)借助于栅极绝缘膜42交叉。多个第二部分33B中的每个，也是后述的F元件44(图9)中的源电极44S。(A.配线图案形成用油墨)以下说明形成源配线33用的导电性材料。这里所述“导电性材料”是一种“液体状材料”，也被称作“配线图案形成用油墨”。导电性材料含有分散剂、和被分散剂分散的导电性微粒。本实施方式的导电性微粒，是平均粒径约10纳米的银粒子。而且将平均粒径从1纳米至100纳米的粒子也记作“纳米粒子”。按照这种表述方法，本实施方式的导电性材料含有银纳米粒子。其中导电性微粒的粒径优选为1纳米以上1.0微米以下。若为1.0微米以下，则液滴喷出装置的喷嘴118(图4)产生堵塞的可能性小。而且若为1纳米以上，则由于导电性微粒与涂敷材料之间的体积比适当，所以在得到的膜中有机物的比例也适当。作为分散剂(或溶剂)，只要能够分散导电性微粒而不产生凝聚的就无特别限制。例如，除水之外还可以举出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四碳烷、甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、杜烯、茚、双戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物，或乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配线图案的形成方法，是用液滴喷出装置喷出液体状导电性材料的液滴，在具有基体上由围堰图案镶边、第一方向长度为Ｌ的同时与所述第一方向正交的第二方向长度为Ｍ的部分的图案形成区域设置导电性材料层的配线图案形成方法，其特征在于，具有向所述 部分喷出其直径为所述Ｌ以下、同时所述Ｍ以下的所述液滴，形成将所述部分覆盖的所述导电性材料层的步骤（Ａ），所述步骤（Ａ）包括喷出所述液滴，使所述液滴的中心与所述围堰图案间距离至少为所述直径１／２倍的位置上的步骤（ａ１）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：平井利充，酒井真理，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]