【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有例如，一个电流镜像电路，一个光电转换器件和一个图像读取装置的半导体器件，并且特别地涉及具有，例如，一个CMOS电流镜像恒定电流源电路的光电转换器件和具有配置多个光电转换器件的多传感器的图像读取装置。
技术介绍
近年来，在光电转换器件领域，已广泛发展一种光接收部件及其外围电路构建在一单层衬底上的器件。这种光电转换器件的例子是一种运算放大器和光接收部件构建在一单层半导体衬底上的线性传感器(电视协会杂志，vol.47，No.9(1993)，P.1180)，具有一个抽样-保持电路的图像传感器(日本专利公开No.4-223771)，和具有由运放组成的内部参考电压产生电路的固态图像传感器(日本专利公开No.9-65215)。用于运放的偏置电流通常使用恒定电流源电路产生。当该恒定电流源电路使用一个MOS晶体管构成时，一般运用如图10所示的CMOS恒定电流源电路(R.Gregorian和G.C Temes，用于信号处理的模拟MOS集成电路，P.127，图4和5)。此外，建议一种象在日本专利公开No.7-44254中公布的类似的CMOS恒定电流源电路。传统的C...
【技术保护点】
一种半导体器件，包含一个由至少是第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域组成的一个控制电路，所述控制电路包括一个半导体部件，其中当由于所述半导体器件的外部干扰引起在第一和第二区域中的任何一个出现一个电势变化，将引起一个与电势变 化相反的电势变化。
【技术特征摘要】
JP 1998-2-20 038871/98;JP 1998-9-24 270091/981.一种半导体器件，包含一个由至少是第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域组成的一个控制电路，所述控制电路包括一个半导体部件，其中当由于所述半导体器件的外部干扰引起在第一和第二区域中的任何一个出现一个电势变化，将引起一个与电势变化相反的电势变化。2.根据权利要求1的器件，其中所述控制电路通过形成第一导电类型的第一区域的多个PMOS晶体管和构成第二导电类型的第二区域的多个NMOS晶体管组成一个电流镜像电路，并且所述半导体器件是通过所述电流镜像电路和与所述电路连接的光电转换电路用作一个光电转换器件。3.一个半导体电路中，P和N型场效应晶体管的漏区串联，所述P型场效应晶体管的漏区连到所述P型场效应晶体管的栅区，其中，在光照射时，在所述N型场效应管的漏区中产生的光电流比在所述P型场效应管的漏区中产生的光电流要大。4.根据权利要求3的器件，其中所述N型场效应管的漏区有一个比所述P型场效应管漏区的开口面积大的开口面积。5.一种光电转换器件，包含在权利要求3中限定的半导体电路和与所述半导体电路相连的光接收单元。6.一种半导体电路，其中P和N型场效应晶体管的漏区串联...
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