【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别是涉及用于半导体器件的耐电压(以下记为「耐压」)的稳定化以及高耐压化的技术。
技术介绍
一般在电力半导体器件中，需要高的耐压保持能力，即，希望耐压的稳定性提高以及高耐压化。作为实现这一点的技术，已知场板和保护环等以及把它们组合起来的构造(例如，专利文献1)。另外，还有在IGBT(绝缘栅型双极晶体管)的栅-集之间，通过配置相互反向连接的二极管(反向连接二极管)，防止在集-射之间施加过电压的技术(例如专利文献2)。另外，还知道把上述反向连接二极管与保护环组合起来的半导体器件构造(例如专利文献3)，或者把上述反向连接二极管与场板组合起来的半导体器件构造(例如专利文献4)。特开2003-188381号公报[专利文献2]特许3191747号公报[专利文献3]特开3331846号公报[专利文献4]特开平10-163482号公报一般场板构造能够以小面积谋求半导体器件的高耐压。但是，由于在衬底上形成场板，具有易于受到把芯片表面模制的树脂等极化(模制极化)的影响，由此产生耐压变动等耐压不稳定的问题。另外，保护环构造虽然与场板构造相比较可以得到稳定的...
【技术保护点】
一种半导体器件，该半导体器件具有形成在半导体衬底上的半导体元件和设置在上述半导体元件周围的外围构造，其特征在于，上述外围构造具备：形成在该外围构造的外围部分中且与上述半导体衬底电连接的第１电极；形成在上述半导体元件的形成区与 上述第１电极之间的上述半导体衬底上的绝缘膜；在上述绝缘膜上形成为包围上述半导体元件的中间电位电极；局部地形成在上述绝缘膜上的一部分区域中且在上述中间电位电极上施加预定中间电位的中间电位施加单元，上述预定中间电位是上述第１电极 的电位与在上述半导体元件中的上述半导体衬底上配置在最外侧的第２电极的电位之间的电位。
【技术特征摘要】
JP 2004-1-29 021476/20041.一种半导体器件，该半导体器件具有形成在半导体衬底上的半导体元件和设置在上述半导体元件周围的外围构造，其特征在于，上述外围构造具备形成在该外围构造的外围部分中且与上述半导体衬底电连接的第1电极；形成在上述半导体元件的形成区与上述第1电极之间的上述半导体衬底上的绝缘膜；在上述绝缘膜上形成为包围上述半导体元件的中间电位电极；局部地形成在上述绝缘膜上的一部分区域中且在上述中间电位电极上施加预定中间电位的中间电位施加单元，上述预定中间电位是上述第1电极的电位与在上述半导体元件中的上述半导体衬底上配置在最外侧的第2电极的电位之间的电位。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述中间电位施加单元是把上述第1电极与上述第2电极之间的电压分压后施加到上述中间电位电极上的分压单元。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体器件，其特征在于当把上述第1电极取为比上述第2电极高的电位时，上述中间电位施加单元在上述中间电位电极上施加比其正下方的上述半导体衬底表面的电位低的上述中间电位。4.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体器件，其特征在于上述外围构造具有多个上述中间电位电极，当把上述第1电极取为比上述第2电极高的电位时，上述中间电位施加单元至少在一个上述中间电位电极上施加比其正下方的上述半导体衬底表面的电位低的上述中间电位。5.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体器件，其特征在于上述外围构造具有多个上述中间电位电极，当把上述第1电极取为比上述第2电极高的电位时，上述中间电位施加单元至少在最靠近上述第2电极一侧的上述中间电位电极上施加比其正下方的上述半导体衬底表面的电位低的上述中间电位。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述外围构造具有N个上述中间电位电极，在上述绝缘膜上还具有连接到上述第1电极的第1场板以及连接到上述第2电极的第2场板，其中N≥1，当把上述第1场板与上述第2场板之间的距离记为L时，最靠近上述第2电极一侧的上述中间电位电极与上述第2场板之间的距离比L/(N-1)小。7.一种半导体器件，该半导体器件具有形成在半导体衬底上的半导体元件和设置在上述半导体元件周围的外围构造，其特征在于，上述外围构造具备形成在该外围构造的外围部分中且与上述半导体衬底电连接的第1电极；形成在上述半导体元件的形成区与上述第1电极之间的上述半导体衬底上的绝缘膜；局部地形成在上述绝缘膜上的一部分区域中且连接于上述第1电极与上述半导体元件中的上述半导体衬底上配置在最外侧的第2电极之间的多级反向连接二极管；在上述半导体衬底上形成为包围上述半导体元件的保护环；局部地形成在包括上述半导体衬底中的上述反向连接二极管附近的区域中、具有线形形状且与上述保护环相同导电类型的杂质区。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于上述杂...
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