制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种制造半导体装置的方法，通过该方法利用铪作为阻挡层材料可以将通道蚀刻后的铜表面上的氧化物去除。该方法包括以下步骤：在基片上的至少一个保护绝缘层上形成铜线；在保护绝缘层上形成通孔，以露出铜线的一部分；在通孔中形成含铪层，以覆盖嵌入的铜线的露出部分；以及在含铪层上形成导电层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，通过该方法，具有良好特性的铜/铪界面的铜线可以利用Hf(铪)、有效的去氧剂或集氧器形成，以去除粘附到铜线上的氧(以氧化铜层的形式)。
技术介绍
通常，铜是常用的连接金属线的材料。目前，实际上顶层(即，在焊垫和封装件之间的布线部分)使用铝。由于铜表面是很容易氧化的，因此氧可以通过氧化铜表面扩散到下部金属层，从而引起包含在下层中的铜的腐蚀。而且，众所周知，铝衬垫非常有利于在封装元件上布线。图1是传统铜布线的横截面图。参照图1，将铜线11嵌入第一绝缘层12中。氧化物、氮化物、或聚合物的第二绝缘层13形成在第一绝缘层12上。阻挡层14和铝层15依次层叠在铜线11上。在这种情况下，在铜线11上进行RF蚀刻预清洗或化学湿法清洗，以从铜线11的表面去除氧化铜层。然而，传统的金属布线方法有时不能去除铜表面的氧化物，或者在其他情况下，过度蚀刻铜线导致在下层的铜线降解。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种，其基本上避免了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。本专利技术的目的是提供一种，通过该方法利用Hf(铪)作为阻挡层材料，可将通道蚀刻(via-etch)后的铜表面上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：在基片的铜线上形成至少一个保护绝缘层；在所述至少一个保护绝缘层上形成通孔，以露出所述铜线的一部分；在所述通孔中形成含铪层，以覆盖所述铜线的露出部分；以及在包括所述含铪层 的所述基片之上形成导电层。

【技术特征摘要】
KR 2003-12-30 10-2003-01009781.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤在基片的铜线上形成至少一个保护绝缘层；在所述至少一个保护绝缘层上形成通孔，以露出所述铜线的一部分；在所述通孔中形成含铪层，以覆盖所述铜线的露出部分；以及在包括所述含铪层的所述基片之上形成导电层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含铪层具有从约50至约500的厚度。3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述含铪层的步骤包括离子化物理汽相淀积铪或铪前体。4.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述含铪层之前，利用Ar+离子进行RF蚀刻预清洗的步骤。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述RF蚀刻预清洗去除约10至约100厚度的所述至少一个保护绝缘层。6.根据权利要求1所述的方法，其中通过所述含铪层还原在所述嵌入的铜线的露出部分上的氧化层。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电层包含Al。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电层的形成步骤包括以下步骤在所述含铪层上形成HfNx层；在所述通孔中的所述HfNx层上形成钨插头；以及在包含所述钨插头的所述基片上淀积Al。9.根据权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正周，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]