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本发明提供了一种制造半导体装置的方法，通过该方法利用铪作为阻挡层材料可以将通道蚀刻后的铜表面上的氧化物去除。该方法包括以下步骤：在基片上的至少一个保护绝缘层上形成铜线；在保护绝缘层上形成通孔，以露出铜线的一部分；在通孔中形成含铪层，以覆盖嵌...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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