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本发明提供维持高耐压的同时能够谋求小型化的半导体器件，在ＩＧＢＴ芯片的外围部分中，在场氧化膜１３上的场板１４与场板１５之间，设置形成为包围ＩＧＢＴ单元的中间电位电极２０，在中间电位电极２０上，从局部地形成在芯片外围部分上的一部分区域中的中间...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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