半导体器件制造技术

提供了一种能够确保完全的增强型工作，并能够实现一种在低失真、高效率方面性能优异的功率晶体管的半导体器件。在单晶ＧａＡｓ衬底（１）的一侧上，按顺序形成ＡｌＧａＡｓ第二阻挡层（３）、ＩｎＧａＡｓ沟道层（４）、ＩｎＧａＰ第三阻挡层（１２）和第一阻挡层（１１），与此同时，在其间放置一缓冲层（２）。在所述第一阻挡层（１１）和所述第三阻挡层（１２）之间满足关系ｘ↓［１］－ｘ↓［３］≤０．５＊（Ｅｇ↓［３］－Ｅｇ↓［１］），其中ｘ↓［１］是所述第一阻挡层（１１）的电子亲和势，Ｅｇ↓［１］是其带隙，ｘ↓［３］是所述第三阻挡层（１２）的电子亲和势，Ｅｇ↓［３］是其带隙。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于功率放大器等的半导体器件。
技术介绍
低失真、高效率工作和单正电源工作是针对移动通信的移动终端的功率放大器提出的最新要求。这里，高效率工作是指具有高功率附加效率(以下称为PAE)的工作，其定义为输出功率Pout与输入功率Pin之间的差值和供应的DC功率Pdc之间的比率。由于越大的PAE值表示越小的功率消耗，所以PAE是功率放大器的一个重要品质因数。减少失真也是一个关键问题，因为基于诸如CDMA(码分多址)和WCDMA(宽带码分多址)的无线通信系统的使用的最新移动终端需要更加严格的关于功率放大器的失真的技术指标。但是，失真和效率通常处于权衡关系中，必须在给定的低失真条件下增加PAE。这就是低失真、高效率工作的含义。另一方面，单正电源工作有助于通过弃用对于利用耗尽型FET(场效应晶体管)配置的传统功率放大器不可缺少的负电压生成电路和漏极开关来减小终端尺寸，并降低终端成本。HBT(异质结双极晶体管)是一种能够满足这些要求的用于功率放大器的众所周知的器件。在HBT应用当中，功率放大器特性的改善需要增大的电流密度，但是，这样可能导致由于发热产生的问题，或者，可能需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其具有一源极、一漏极、一设置在所述源极和所述漏极之间的栅极和一由半导体构成的作为所述源极和所述漏极之间的电流通路的沟道层，其特征在于包括：一第一阻挡层，其由在栅极下掺杂了高浓度ｐ型杂质的ｐ型导电区的半导体构成，　 　一设置在所述第一阻挡层相反侧的第二阻挡层，同时将所述沟道层放置在二者之间，所述第二阻挡层由电子亲和势小于所述沟道层的电子亲和势的半导体构成，以及设置在所述第一阻挡层和所述沟道层之间的，由电子亲和势小于所述沟道层的电子亲和势的半导体 构成的第三阻挡层，其中满足下述关系：ｘ↓［１］－ｘ↓［３］≤０．５＊（Ｅｇ↓［３］－Ｅｇ↓［１］）…...

【技术特征摘要】
JP 2002-7-19 210597/20021.一种半导体器件，其具有一源极、一漏极、一设置在所述源极和所述漏极之间的栅极和一由半导体构成的作为所述源极和所述漏极之间的电流通路的沟道层，其特征在于包括一第一阻挡层，其由在栅极下掺杂了高浓度p型杂质的p型导电区的半导体构成，一设置在所述第一阻挡层相反侧的第二阻挡层，同时将所述沟道层放置在二者之间，所述第二阻挡层由电子亲和势小于所述沟道层的电子亲和势的半导体构成，以及设置在所述第一阻挡层和所述沟道层之间的，由电子亲和势小于所述沟道层的电子亲和势的半导体构成的第三阻挡层，其中满足下述关系χ1-χ3≤0.5*(Eg3-Eg1)…(1)其中，χ1为所述第一阻挡层的电子亲和势，Eg1是其带隙；χ3为所述第三阻挡层的电子亲和势，Eg3是其带隙。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于构成所述第三阻挡层的所述半导体是由III-V族化合物半导体构成的，其中该III-V族化合物半导体包含作为III族元素的Ga、Al、In中的至少任何一种，并且包含作为V族元素的As和P两者中的至少任何一种。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于构成所述第三阻挡层的半导体为InGaP、AlGaInP或InGaAsP。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于构成所述第三阻挡层的所述半导体为具有Al组分比为50％或更高的AlGaAs、AlGaAsP或AlGaInAs。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第三阻挡层的厚度为20nm或更小。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于构成所述第一阻挡层的半导体为AlGaAs、GaAs或InGaP。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于具有第四阻挡层，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷伊知郎，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]