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提供了一种能够确保完全的增强型工作，并能够实现一种在低失真、高效率方面性能优异的功率晶体管的半导体器件。在单晶ＧａＡｓ衬底（１）的一侧上，按顺序形成ＡｌＧａＡｓ第二阻挡层（３）、ＩｎＧａＡｓ沟道层（４）、ＩｎＧａＰ第三阻挡层（１２）和第一阻...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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