半导体封装及半导体模块制造技术

提供一种通过不使用引线接合而进行对半导体元件的连接从而能够实现小型化的半导体封装及具有该半导体封装的半导体模块。具有：ＩＧＢＴ元件（２０），在表面（２１ａ）上具有射电极（２２）、门电极（２３）、以及射感电极，在背面（２１ｂ）上具有集电极（２６）；第１电极板（３０），与ＩＧＢＴ元件（２０）的表面（２１ａ）对置设置，具有通过钎焊接合与射电极（２２）连接的突起部；第２电极板（４０），与ＩＧＢＴ元件（２０）的背面（２１ｂ）对置设置，具有通过钎焊接合与集电极（２６）连接的对置面（４１ｂ）；绝缘基板（５０），设在第１电极板（３０）与ＩＧＢＴ元件（２０）之间，具有通过钎焊接合与门电极（２３）及射感电极连接的连接焊盘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装及半导体模块，特别涉及具有电力用半导体元件、将构筑变换器(inverter)、换流器(converter)等电力控制设备的半导体封装、以及将该半导体封装多个模块化的半导体模块。
技术介绍
作为电力用半导体元件，大多使用IGBT元件(开关元件)、IEGT、MOS-FET等。这些电力用半导体元件都在表面上具备表面侧电力端子和控制端子，在背面具有背面侧电力端子。另外，在电力用半导体元件为IGBT元件的情况下，表面侧电力端子为射电极，背面侧电力端子为集电极，控制端子为门电极。在将这种电力用半导体元件安装到基板上并封装时，半导体元件的背面侧电力端子通过钎焊接合连接到封装侧的电极上，而半导体元件的表面侧电力端子及控制端子使用铝线通过引线接合法连接到封装侧的电极上(例如参照日本专利特许文献1和特许文献2)。但是，引线接合法存在如下的技术课题由于是将线一根根地接合所以接合时间较长；由于线呈环状所以线长变长、布线电感变大；承受振动能力较差，容易发生断裂或相邻间的短路等。因此，具有被采用在半导体元件的表面侧电力端子上代替线而接合铝薄板的方法、以及钎焊接合平板或引线而作为电极引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，其特征在于，具有：板状的半导体元件，在主面上具有第１电力端子和控制端子，在与上述主面对置的背面上具有第２电力端子；第１电极板，与上述半导体元件的上述主面对置设置，具有通过钎焊接合与上述第１电力端子连接的第１电 力电极；第２电极板，与上述半导体元件的上述背面对置设置，具有通过钎焊接合与上述第２电力端子连接的第２电力电极；以及绝缘基板，设在上述半导体元件与上述第１电极板之间，具有通过钎焊接合与上述控制端子连接的控制电极。

【技术特征摘要】
JP 2004-11-30 346527/2004;JP 2005-7-27 217178/20051.一种半导体封装，其特征在于，具有板状的半导体元件，在主面上具有第1电力端子和控制端子，在与上述主面对置的背面上具有第2电力端子；第1电极板，与上述半导体元件的上述主面对置设置，具有通过钎焊接合与上述第1电力端子连接的第1电力电极；第2电极板，与上述半导体元件的上述背面对置设置，具有通过钎焊接合与上述第2电力端子连接的第2电力电极；以及绝缘基板，设在上述半导体元件与上述第1电极板之间，具有通过钎焊接合与上述控制端子连接的控制电极。2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，上述绝缘基板具有从上述半导体元件、上述第1电极板和第2电极板的各外周缘向外侧突出的突出部，在该突出部上具备与上述控制端子连接的外部连接端子。3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，上述第1电力电极是向上述半导体元件侧突起的突起部；上述绝缘基板具备上述突起部穿过的开口部或切口部。4.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，上述绝缘基板在与上述第1电极板对置的表面上具有固定焊盘，上述第1电极板与上述固定焊盘通过钎焊接合而接合。5.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，上述第2电极板及上述绝缘基板的各外周缘设在比上述半导体元件的外周缘靠外侧；在上述第2电极板及上述绝缘基板之间具有衬垫，该衬垫定位设置在比上述半导体元件的各外周缘靠...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈心平，池谷之宏，渡边尚威，田多伸光，新留正和，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]