一种混合集成电路装置，兼具散热性和耐压性。在电路衬底（１１）的表面形成第一绝缘层（１２Ａ），且在其背面形成有第二绝缘层（１２Ｂ）。在第一绝缘层（１２Ａ）的表面形成导电图案（１３），并在该导电图案（１３）上固定电路元件（１５）。密封树脂（１４）包覆电路衬底（１１）的表面及侧面。另外，密封树脂（１４）还包覆电路衬底（１１）背面的周边部。由此，在使电路衬底（１１）的背面露出到外部的状态下，可确保电路衬底（１１）的耐压性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路装置，特别是涉及兼具散热性和耐压性的电路装置。
技术介绍
参照图9说明现有的混合集成电路装置100的结构(参照下述专利文献1)。在矩形衬底101表面介由绝缘层102形成有导电图案103。而且，通过在导电图案103的所希望的位置固定电路元件105，形成规定的电气电路。在此，作为电路元件，将半导体元件及片状元件与导电图案103连接。引线104与形成于衬底101周边部的导电图案103连接，作为外部端子起作用。密封树脂103具有密封形成于衬底101表面的电气电路的功能。密封树脂101的结构有两种。第一种结构是使衬底101的背面露出，形成密封树脂103的方法。根据该结构，可介由露出到外部的衬底101进行良好的散热。第二种结构是形成密封设置103，覆盖包括衬底101背面的整体的方法。根据该结构，可确保衬底101的耐压性及耐湿性。在该图中，密封包括衬底101背面的整体。包覆衬底101背面的部分的密封树脂103的厚度例如为0.5mm程度。特别是，在衬底101与接地电位连接时，适用上述的第二种结构，将衬底101与外部绝缘。专利文献1特开平5-102645号公报但是，在形成密封树脂103，使其包覆衬底101背面的情况下，由于包覆衬底101背面的密封树脂103的热传导率不良，故存在装置整体的散热性降低的问题。当薄地形成包覆衬底103背面的密封树脂103的厚度(T5)时，需要散热性得到提高。但是，当将密封树脂103的厚度T5设为0.5mm以下时，存在通过注入成型形成密封树脂103的模制工序中，树脂不能到达衬底101背面的问题。另外，为提高散热性，将衬底101的背面露出到外部时，存在不能确保衬底101的绝缘性的问题。另外，也存在难于增强衬底101和密封树脂的连接强度的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而构成的，本专利技术的主要目的在于，提供兼具散热性和耐热性的电路装置。本专利技术提供电路装置，其具有，电路衬底；电气电路，其由形成于所述电路衬底表面的导电图案及电路元件构成；密封树脂，其密封所述电气电路，所述密封树脂在使所述电路衬底的背面部分地露出的状态下包覆所述电路衬底的表面、侧面及背面的周边部。另外，本专利技术提供电路装置，其具有，电路衬底，其在表面设有第一绝缘层，在背面设有第二绝缘层；电气电路，其由形成于所述第一绝缘层表面的导电图案及电路元件构成；密封树脂，其密封所述电气电路，所述密封树脂在使所述第二绝缘层部分地露出的状态下包覆所述电路衬底的表面、侧面及背面的周边部。在本专利技术的电路装置中，所述电路衬底和所述电气电路被电连接。在本专利技术的电路装置中，所述电路衬底介由所述导电图案与接地电位连接。在本专利技术的电路装置中，在从所述密封树脂露出的所述电路衬底的背面固定金属衬底。在本专利技术的电路装置中，在所述金属衬底背面形成氧化膜。在本专利技术的电路装置中，形成由所述金属衬底的露出面及所述密封树脂构成的平坦面。在本专利技术的电路装置中，所述电路衬底的背面至少距外周端部2mm以内的周边部由所述密封树脂包覆。在本专利技术的电路装置中，在所述电路衬底的背面固定有散热装置。本专利技术提供电路装置的制造方法，其具有，在电路衬底的表面构成由导电图案及电路元件构成的电气电路的工序；使用模制模型形成密封树脂，使其至少包覆所述电路衬底表面的工序；在形成所述密封树脂的工序中，将从所述模制模型下面离开的所述电路衬底的周边部利用所述密封树脂包覆。另外，在本专利技术的电路装置的制造方法中，在所述电路衬底的背面的除周边部以外的区域粘贴金属衬底，通过使所述金属衬底的背面接触所述模制模型的下面，使所述电路衬底的周边部从所述模制模型离开。在本专利技术的电路装置的制造方法中，通过在设于所述模制模型上的凸部载置所述电路衬底，使所述电路衬底的周边部从所述模制模型离开。另外，本专利技术提供电路装置的制造方法，其具有介由绝缘层在电路衬底的表面粘贴导电箔，且介由绝缘层在所述电路衬底的背面粘贴金属衬底的工序；在对应予定形成的单元的分界的区域的所述金属衬底上设置分离槽的工序；通过进行蚀刻，对所述导电箔进行构图，形成导电图案，除去所述分离槽的剩余的厚度部分，使位于所述单元的周边部的所述电路衬底的背面从所述金属衬底露出的工序；通过在所述单元的分界分割所述电路衬底，将构成各所述单元的电路衬底分离的工序；将电路元件与所述导电图案电连接的工序；使所述金属衬底的背面接触模制模型的下面，通过进行树脂密封，形成密封树脂，使其覆盖所述电路衬底的背面周边部的工序。在本专利技术的电路装置的制造方法中，所述金属衬底是由对表面及背面进行了钝化处理的铝构成的衬底。在本专利技术的电路装置的制造方法中，所述分离槽通过切割形成。根据本专利技术，利用密封树脂包覆电路衬底背面的周边部。因此，通过包覆背面的密封树脂产生拉桩效果，可提高密封树脂和电路衬底的粘结强度。另外，根据本专利技术，以将电路衬底的背面从密封树脂露出的状态，可充分确保电路衬底和外部的耐压性。因此，可提供兼具散热性和耐压性的电路装置。根据本专利技术的电路装置的制造方法，由使用模制模型进行树脂密封的工序，可使电路衬底背面的周边部从模制模型离开。因此，可利用密封树脂包覆电路衬底背面的周边部。附图说明图1(A)是表示本专利技术的混合集成电路装置的立体图，(B)是剖面图，(C)是剖面图；图2是表示本专利技术的混合集成电路装置的剖面图；图3(A)-(C)是表示本专利技术的混合集成电路装置的剖面图；图4(A)-(D)是表示本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图； 图5(A)-(D)是表示本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；图6(A)-(E)是表示本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；图7(A)-(D)是表示本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图；图8(A)是表示本专利技术的混合集成电路装置的制造方法的剖面图，(B)是剖面图；图9是表示现有的混合集成电路装置的剖面图。符号说明10 混合集成电路装置11 电路衬底12 绝缘层12A 第一绝缘层12B 第二绝缘层13 导电图案14 密封树脂15 电路元件15 A半导体元件15B 片状元件16 金属衬底17 金属细线18 连接部19 粘结剂21 散热片22 模型22A 上模型22B 下模型23 空腔24 凸部25 引线 26A 第一导电箔26B 第二导电箔27 抗蚀剂具体实施方式参照图1说明本专利技术的混合集成电路装置10的结构。首先，在矩形的电路衬底11表面形成有第一绝缘层12A。然后，在第一绝缘层12A的表面形成有规定形状的导电图案13。进一步，在导电图案13的规定位置，介由焊锡或导电膏电连接半导体元件15A及片状元件15B。形成于电路衬底11表面的导电图案13、半导体元件15A及片状元件15B由密封树脂14包覆。电路衬底11是由铝或铜等金属构成的衬底。作为一例，在采用由铝构成的衬底作为电路衬底11时，电路衬底11的表面被钝化处理。由此，提高第一绝缘层12A和电路衬底11的粘结性。另外，利用形成导电图案13时的蚀刻工序，可保护电路衬底11的表面。电路衬底11的具体的大小例如为长×宽×厚＝61mm×4.25mm×1.5mm程度。第一绝缘层12A覆盖电路衬底11的表面整个区域。绝缘层12由高充填了Al2O3等填充物的环氧本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电路装置，其特征在于，具有，电路衬底；电气电路，其由形成于所述电路衬底表面的导电图案及电路元件构成；密封树脂，其密封所述电气电路，所述密封树脂在使所述电路衬底的背面部分地露出的状态下包覆所述电路衬底的表面、侧面及背面的周边部。
【技术特征摘要】
JP 2004-11-26 342657/041.一种电路装置，其特征在于，具有，电路衬底；电气电路，其由形成于所述电路衬底表面的导电图案及电路元件构成；密封树脂，其密封所述电气电路，所述密封树脂在使所述电路衬底的背面部分地露出的状态下包覆所述电路衬底的表面、侧面及背面的周边部。2.一种电路装置，其特征在于，具有，电路衬底，其在表面设有第一绝缘层，在背面设有第二绝缘层；电气电路，其由形成于所述第一绝缘层表面的导电图案及电路元件构成；密封树脂，其密封所述电气电路，所述密封树脂在使所述第二绝缘层部分地露出的状态下包覆所述电路衬底的表面、侧面及背面的周边部。3.如权利要求1或2所述的电路装置，其特征在于，所述电路衬底和所述电气电路被电连接。4.如权利要求2所述的电路装置，其特征在于，所述电路衬底介由所述导电图案与接地电位连接。5.如权利要求1或2所述的电路装置，其特征在于，在从所述密封树脂露出的所述电路衬底的背面固定金属衬底。6.如权利要求5所述的电路装置，其特征在于，在所述金属衬底背面形成氧化膜。7.如权利要求5所述的电路装置，其特征在于，形成由所述金属衬底的露出面及所述密封树脂构成的平坦面。8.如权利要求1或2所述的电路装置，其特征在于，所述电路衬底的背面至少距外周端部2mm以内的周边部由所述密封树脂包覆。9.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，在所述电路衬底的背面固定有散热装置。10.一种电路装置的制造方法，其特征在于，具有，在电路衬底的表面构成由导...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂本则明，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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