半导体器件制造技术

技术编号:3190866 阅读:118 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术为了提供一种即使在使用大尺寸芯片时仍能做小、且其中能够形成低开态电阻的MOSFET的半导体器件,公开了一种半导体器件,其包括:树脂封装;至少两根主引线,集成在所述树脂封装中以构成芯片安装部分;安装在所述芯片安装部分上的半导体芯片;以及第一和第二表面引线,每个均电连接到形成于所述半导体芯片的表面上的电极。所述主引线和所述第一和第二表面引线分别沿着所述树脂封装的底面向外突出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件,尤其涉及一种被用作电源线路的开关元件的半导体器件。
技术介绍
近年来,随着诸如个人计算机和移动电话之类的电子设备的小型化,已经高密度地安装电子元件,为此,人们正在进行着多项研究,以减小诸如二极管或三极管的半导体器件的安装面积。在此类半导体器件中,开关MOSFET被用作开关诸如电池的电源的负载开关,除了要求其做得小而薄之外,还要求提高其散热效率和降低开态阻抗(on-resistance)。鉴于此,已经提出了一种技术(例如,参见美国专利No.6242800),在这种技术中改变了主焊盘的形状,而半导体芯片就要安装到该主焊盘上。图11(a)为示出了常规半导体器件的俯视图,图11(b)为取自图11(a)的线A-A的截面图,而图11(c)为示出图11(a)的半导体器件的侧视图。如图7所示,从树脂封装向外突出的引线端子为鸥翼型,沿着封装的侧表面向下弯折。接着,将描述根据相关技术的半导体器件的结构。半导体芯片1倒置地安装在主焊盘2上。主焊盘2与引线3、4、5和6集成在一起。第一和第二表面引线7和8从主焊盘2分开,从树脂封装9向外突出。第一表面引线7和源电极10通过多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件,包括:树脂封装;至少两根主引线,集成在所述树脂封装中以构成芯片安装部分;安装在所述芯片安装部分上的半导体芯片;以及第一表面引线和第二表面引线,每根均电连接到形成于所述半导体芯片的表面上的电极, 其中所述主引线和所述第一表面引线和第二表面引线分别沿着所述树脂封装的底面向外突出。

【技术特征摘要】
JP 2005-5-24 151280/05;JP 2005-8-9 230924/051.一种半导体器件,包括树脂封装;至少两根主引线,集成在所述树脂封装中以构成芯片安装部分;安装在所述芯片安装部分上的半导体芯片;以及第一表面引线和第二表面引线,每根均电连接到形成于所述半导体芯片的表面上的电极,其中所述主引线和所述第一表面引线和第二表面引线分别沿着所述树脂封装的底面向外突出。2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述主引线和所述第一表面引线与第二表面引线分别在所述树脂封装之内被弯折。3.如权利要求1或2所述的半导体器件,其中所述芯片安装部分形成于位于所述树脂封装的上表面侧的主引线的表面上。4.如权利要求1到3中任一项所述的半导体器件,其中所述主引线包括多根引线,在所述主引线从所述树脂...

【专利技术属性】
技术研发人员:宇都宫哲高野好弘
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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