【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及以车载用电源组件为代表的电子装置，是关于将半导体元件等电子器件组装在衬底上的结构。
技术介绍
由于对环境问题的关注等，以混合动力车为代表的利用电动机驱动的汽车今后会越来越普及。另外，在以往由液压控制的动力转向和刹车等上也有采用使用电动机的电动控制单元(Electric Control Unit，ECU)的倾向。电动机控制用的ECU使用流动大电流的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)芯片和FET(Field Effect Transistor)芯片，从该芯片(半导体元件等电子器件)散发数十瓦～数百瓦的热。因此，这些芯片和装备了这些芯片的电子装置需要进行水冷却或空气冷却。在图1所示的电动机控制用ECU模块的剖面构造的一例中，FET芯片1的下部漏电极通过焊锡3连接在高热传导的陶瓷衬底7的电极5上，该陶瓷衬底7由高热传导的树脂粘接剂11粘接在散热器上。FET芯片1的上部栅电极及源电极是由多个引线接合13连接在陶瓷衬底7上的规定的电极15上。需要这样的多个引线接合的电子装置的构造，由于其制造工艺过程需要很大的设备投...
【技术保护点】
电子装置，其特征在于：具备电子器件以及衬底，所述的电子器件具有第１电极和在该第１电极的表面形成的至少１层的第１金属膜，所述的衬底具有与上述电子器件的上述第１电极电连接的第２电极和在该第２电极表面形成的至少１层的第２金属膜；上 述电子器件和上述衬底是通过以下方式连接，即，使上述第１金属膜的最表面和上述第２电极的最表面接触，在第１金属膜及第２金属膜的各自的熔融温度以下且在第１金属膜和第２金属膜的共晶温度以上使第１金属膜和第２金属膜的最表面接触的界面附近熔融，通过第１金属膜和第２金属膜的扩散反应在该界面附近形成包含第１金属膜及第２金属膜的各个构成元素...
【技术特征摘要】
JP 2005-2-28 2005-0522491.电子装置，其特征在于具备电子器件以及衬底，所述的电子器件具有第1电极和在该第1电极的表面形成的至少1层的第1金属膜，所述的衬底具有与上述电子器件的上述第1电极电连接的第2电极和在该第2电极表面形成的至少1层的第2金属膜；上述电子器件和上述衬底是通过以下方式连接，即，使上述第1金属膜的最表面和上述第2电极的最表面接触，在第1金属膜及第2金属膜的各自的熔融温度以下且在第1金属膜和第2金属膜的共晶温度以上使第1金属膜和第2金属膜的最表面接触的界面附近熔融，通过第1金属膜和第2金属膜的扩散反应在该界面附近形成包含第1金属膜及第2金属膜的各个构成元素的合金部分，由此实现连接；连接了上述电子器件和上述衬底后的上述合金部分的熔融开始温度，比连接该电子器件和衬底时的上述界面附近的上述第1金属膜和上述第2金属膜的熔融开始温度升高，而且，上述第1金属膜及上述第2金属膜中的至少一方包含通过电镀形成的至少1个金属层。2.电子装置，其特征在于具备电子器件以及衬底，所述的电子器件具有第1电极和在该第1电极的表面形成的至少1层的第1金属膜，所述的衬底具有与上述电子器件的上述第1电极电连接的第2电极和在该第2电极表面形成的至少1层的第2金属膜；上述电子器件和上述衬底是通过以下方式连接的，即，使上述第1金属膜的最表面与上述第2电极的最表面接触，在该第1金属膜及该第2金属膜的各自的熔融温度以下且在该第1金属膜与该第2金属膜的共晶温度以上使该第1金属膜及该第2金属膜的该最表面接触的界面附近熔融，通过该第1金属膜和该第2金属膜的扩散反应，在该界面附近形成包含该第1金属膜及该第2金属膜的各自的构成元素的合金部分，从而连接上述电子器件和上述衬底；连接了上述电子器件和上述衬底后的上述合金部分的熔融开始温度，比连接该电子器件和该衬底时的上述界面附近的上述第1金属膜和上述第2金属膜的熔融开始温度高；上述第1金属膜及上述第2金属膜中的至少一方包含形成10微米或以上厚度的至少1个金属层，或者，通过该第1金属膜及该第2金属膜在上述电子器件与上述衬底之间形成的连接部的厚度为20微米或以上。3.根据权利要求1或权利要求2所述的电子装置，其特征在于，在上述第1金属膜与上...
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