半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够防止栅电极下面的绝缘膜因受安装时压力的影响而发生断裂的半导体装置及其制造方法、半导体装置的设计方法。该半导体装置包括：设于硅衬底（１）上的晶体管；设于硅衬底（１）上，以覆盖该晶体管的层间绝缘膜（２１）；隔着Ａｌ焊盘（３１）设于层间绝缘膜（２１）上的凸点电极（４１），在凸点电极（４１）下方区域的硅衬底（１）上，作为晶体管只设有栅电极（１１）的周边部下面的氧化硅膜比该栅电极（１１）的中央部下面的氧化硅膜厚的ＭＯＳ晶体管（１０），而在除该区域之外的硅衬底（１）上，作为晶体管只设有从栅电极的中央部下面到其周边部下面的氧化硅膜的厚度相同的ＭＯＳ晶体管（７０）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及其制造方法、半导体装置的设计方法，尤其涉及一种能够防止在凸点电极的下方区域中，栅电极下面的绝缘膜发生断裂的技术。
技术介绍
图7(A)是表示现有技术中的半导体装置200的结构例的截面图。如图7(A)所示，该半导体装置200包括硅衬底1；形成于该硅衬底1上的MOS晶体管80；设于硅衬底1上，并覆盖MOS晶体管80的层间绝缘膜21；设于该层间绝缘膜21上的Al焊盘31；设于层间绝缘膜21上，并覆盖Al焊盘31上的周边(外周边缘)的钝化膜33；以及设于从该钝化膜33下露出的Al焊盘31上的凸点电极41。在该半导体装置200中，Al焊盘31隔着层间绝缘膜21形成在MOS晶体管80的上方，通过这种结构，实现了芯片面积的缩小。此外，作为这种现有技术的半导体装置例如在专利文献1中被公开了。更具体而言，在上述专利公报中，披露了一种将Al焊盘形成在半导体器件上，而且在该Al焊盘上形成狭缝的半导体装置，在这种相关半导体装置中，通过将Al焊盘设置在半导体器件上，从而可以实现芯片的微型化，而且，由于狭缝的存在，所以能够抑制Al的热应力等带来的压力的影响，而且还能抑制层间绝缘膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：半导体衬底；第一栅极绝缘膜，设置在所述半导体衬底上；第一栅电极，设置在所述第一栅极绝缘膜上；氧化硅膜，设置在所述第一栅电极的周边部的下面，并比所述第一栅极绝缘膜厚；源极和漏极，设 置在所述半导体衬底上；层间绝缘膜，设置在所述半导体衬底的上方；焊盘电极，设置在所述层间绝缘膜上；钝化膜，设置在所述焊盘电极上，并在该焊盘电极的上方具有开口；以及凸点电极，设置在所述开口中，且设置在所述第一栅电 极的至少一部分的正上方。

【技术特征摘要】
JP 2005-2-28 2005-0546101.一种半导体装置，包括半导体衬底；第一栅极绝缘膜，设置在所述半导体衬底上；第一栅电极，设置在所述第一栅极绝缘膜上；氧化硅膜，设置在所述第一栅电极的周边部的下面，并比所述第一栅极绝缘膜厚；源极和漏极，设置在所述半导体衬底上；层间绝缘膜，设置在所述半导体衬底的上方；焊盘电极，设置在所述层间绝缘膜上；钝化膜，设置在所述焊盘电极上，并在该焊盘电极的上方具有开口；以及凸点电极，设置在所述开口中，且设置在所述第一栅电极的至少一部分的正上方。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：相沢广树，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]