【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
在光掩膜上的遮光膜或半色调(halftone)膜上形成与其它图形孤立的彼此平行的两组线状开口部的情况下，如果适当地选择该两组线状开口部的宽度及间隔，就会出现在投影曝光时在两条线状开口部所引起的两条明线图像之间呈现极细的暗线图像(以下称为“微细暗线图像”)的现象。通过利用此现象，就可以确认出能够以KrF准分子激光器(波长248nm)为光源来形成约40nm宽度的抗蚀剂图形。就通过孤立的平行的2组线状开口部来制造出微细暗线图像的技术而言，在特开2002-075823号公报中已有公开。此外，作为相关技术，在特开平11-015130号公报、特开平11-288079号公报中也已被公开。在现有技术中，由于将在掩膜上孤立的两组线状开口部的外侧区域作为遮光膜或半色调相移薄膜，所以外侧区域就会形成为与在两条明线之间产生的微细暗线图像暗度相同的暗部区域，仅一次曝光，此区域内就会残留不需要的抗蚀剂图形。在现有的技术中，为了不会残留该不需要的抗蚀剂图形，需要制备其它的掩膜后进行两次曝光，并使外侧区域成为明部。由于该两次曝光工序减少了每个单位时间的处理量，...
【技术保护点】
一种光掩膜，包括：夹持以线状延伸的中央遮光线部从而实质上按照相同线宽并行的一对透光用开口图形；以及按照从宽度方向的两侧夹持所述一对透光用开口图形来进行配置的半透过区域，所述半透过区域具有如下性质，即透过所述半透过区域的光与透过所述透光用开口图形的光相同相位相同，所述半透过区域由按照微细到经过所述光照射却不析像这种程度的间距来进行配置的图形构成。
【技术特征摘要】
JP 2005-2-14 2005-0364091.一种光掩膜，包括夹持以线状延伸的中央遮光线部从而实质上按照相同线宽并行的一对透光用开口图形；以及按照从宽度方向的两侧夹持所述一对透光用开口图形来进行配置的半透过区域，所述半透过区域具有如下性质，即透过所述半透过区域的光与透过所述透光用开口图形的光相同相位相同，所述半透过区域由按照微细到经过所述光照射却不析像这种程度的间距来进行配置的图形构成。2.根据权利要求1中所述的光掩膜，当投射光的波长为λ、所述半透过区域的数值孔径为NA时，所述半透过区域通过以满足所谓p＜0.5×λ/NA这一关系的间距p重复基本图形来构成。3.根据权利要求2中所述的光掩膜，所述基本图形是大致为矩形或线状的遮光部或半透过部。4.根据权利要求2中所述的光掩膜，所述基本图形是形成在遮光部或半透过部的大致矩形的开口部。5.根据权利要求2中所述的光掩膜，所述透光用开口图形的宽度W1满足0.25×λ/NA＜W1＜0.75×λ/NA的关系。6.根据权利要求2中所述的光掩膜，所述中央遮光线部的宽度W2满足W2＞0.25×λ/NA的关系。7.根据权利要求2中所述的光掩膜，所述透光用开口图形与相邻的另一对透光用开口图形之间的间隔W3满足W3＞0.75×(λ/NA)的关系。8.根据权利要求2中所述的光掩膜，所述透光用开口图形的长度L满足L＞1.3×(λ/NA)的关系。9.根据权利要求2中所述的光掩膜，所述半透过区域的宽度W4满足W4＞0.75×(λ/NA)的关系。10.根据权利要求1中所述的光掩膜，所述半透过区域的光透过率大于等于10％而小于等于50％。11.一种光掩膜，包括夹持以线状延伸的遮光部从而实质上按照相同线宽并行的一对透光用开口图形；以及按照从宽度方向的两侧夹持所述透光用开口图形的方式进行配置的半透过区域，所述透光用开口图形和所述半透过区域被设置在所述透明基板上，所述透光用开口图形形成为所述透明基板的表面被挖掘的凹部，所述半透过区域为由相移薄膜覆盖所述透明基板表面的结构，所述凹部的深度、所述相移薄膜的厚度以及材料满足使透过所述半透过区域的光与透过所述透光用开口图形的光满足相位相同的关系。12.根据权利要求11中所述的光掩膜，所述相移薄膜的光透过率大于等于10％而小于等于50％。13.一种半导体器件的制造方法，包括对在对象物的表面上预先形成的光刻胶层通过权利要求1中所述光掩膜照射光，并投影所希望的图形，从而使所述光刻胶层部分曝光的工序；显影已曝光的所述光刻胶层后对所述光刻胶层进行构图的工序；以及将已构图的所述光刻胶层作为掩膜，蚀刻所述对象物，由此形成线状图形的工序。14.根据权利要求13中所述的半导体器件的制造方法，在所述曝光工序中，通过所述光掩膜的主要开口部照射的光能量为所述光刻胶层相对于...
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