【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件栅极的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成堆栈层结构；在所述堆栈层结构上形成光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层以定义栅极的位置 ；刻蚀所述堆栈层结构和多晶硅层形成栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马擎天，刘乒，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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