【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)制 造方法及其栅极制造方法。
技术介绍
目前，液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)逐渐取 代应用在电脑的传统阴极射线管(Cathode Ray Tube, CRT )显示 器，而且，因为液晶显示器具有轻薄短小的特点，所以非常适 合在台式电脑、笔记本电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant, PDA )、手机、电视和多种办公自动化与视听设备中使 用。液晶面板是液晶显示器的 一 个主要元件，其 一 般包括 一 薄 膜晶体管基板、 一 彩色滤光片基板和夹在该薄膜晶体管基板与 该彩色滤光片基板之间的液晶层，其中该薄膜晶体管基板包括 由多个薄膜晶体管组成的薄膜晶体管阵列。请参阅图1 ，是 一 种现有技术的薄膜晶体管的结构示意图。 该薄膜晶体管设置在一绝缘基板110上，其包括一位于该绝缘 基板IIO上的栅极120、 一位于该栅极120和该绝缘基板110上 的栅极绝缘层130、一位于该栅极绝缘层130上的半导体层140、 一位于该半...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在于：包括以下步骤：提供一绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的至少两光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩余光致抗蚀剂层宽度自上而下递减；依序在光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面沉积多层金属层；移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在于包括以下步骤提供一绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的至少两光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩余光致抗蚀剂层宽度自上而下递减；依序在光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面沉积多层金属层；移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层的具 体步骤包括将绝缘基板投入一剥离液中，该剥离液是丙酮；待 光致抗蚀剂层溶于剥离液且该光致抗蚀剂层上的多层金属层随之 剥落后，将该绝缘基板取出清洗并吹干。3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于该光致抗蚀剂层是两层，并且是显影速率自上而下渐增的正 光致抗蚀剂。4. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于该光致抗蚀剂层是三层，并且是显影速率自上而下渐增的负 光致抗蚀剂。5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于该至少两光致抗蚀剂层的各光致抗蚀剂层厚度基本相同。6. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于该多层金属层总厚度是该至少两光致抗蚀剂层总厚度的三分 ...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜硕廷，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。