形成半导体器件栅极的方法技术

一种形成半导体器件栅极的方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一导电层、介电层以及第二导电层。使第二导电层图案化，以暴露部分介电层。在第二导电层的侧壁上形成第一保护层。实施第一刻蚀过程，以去除暴露的介电层和暴露部分第一导电层。在第二导电层的侧壁上形成第二保护层。实施第二刻蚀过程，以去除暴露的第一导电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体器件，更具体涉及形成半导体器件栅极的方 法，其防止在栅极的刻蚀过程中弯曲轮廓(bowing profile)的发生。
技术介绍
NAND闪存器件具有包括编程和擦除特性的非易失性存储的性质 以及有利于高集成度的结构。闪存器件具有一定的结构，在该结构中， 浮动栅和控制栅形成在半导体衬底上，介电层布置在浮动栅和控制栅之 间。栅极绝缘层在浮栅下形成。NAND闪存器件通过在半导体衬底上层叠栅极绝缘层、浮动栅、介 电层、控制栅等，然后通过栅极刻蚀过程来图案化而形成。该过程利用 适合于形成各层的材料的刻蚀条件以原位的方式实施。然而，除刻蚀目 标外的层被图案化，且这些层的侧壁被暴露。因此，由于除刻蚀目标外 的层被不必要地刻蚀和栅极图案的侧壁上发生弯曲，从而出现问题。
技术实现思路
因此，本专利技术解决以上的问题，并披露一种形成半导体器件栅极的 方法，其中除刻蚀目标外的层的侧壁被緩冲层保护。然后进行栅极刻蚀 过程，这样在栅极图案的侧壁上没有产生弯曲轮廓。在一个实施方案中，包括提供半导体衬 底，在所述半导体衬底上形成有第一导电层、介电层以及第二导电层。 使第二导电层图案化，以暴露部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件栅极的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一导电层、介电层和第二导电层；使所述第二导电层图案化以暴露部分所述介电层；在所述第二导电层的侧壁上形成第一保护层；实施第一刻蚀过程，以去除暴露的介电层和暴露部分所述第一导电层；在所述第二导电层的侧壁上形成第二保护层；和实施第二刻蚀过程，以去除暴露的第一导电层。

【技术特征摘要】
KR 2006-12-28 10-2006-01363441. 一种形成半导体器件栅极的方法，所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一导电层、介电层和第二导电层；使所述第二导电层图案化以暴露部分所述介电层；在所述第二导电层的侧壁上形成第一保护层；实施第一刻蚀过程，以去除暴露的介电层和暴露部分所述第一导电层；在所述第二导电层的侧壁上形成第二保护层；和实施第二刻蚀过程，以去除暴露的第一导电层。2. 权利要求1的方法，其中所述第一导电层由多晶硅形成。3. 权利要求1的方法，其中所述第二导电层由多晶硅形成。4. 权利要求3的方法，其中所述第二导电层还包括金属层。5. 权利要求1的方法，其中利用氧化物层形成所述第一保护层和所 述第二保护层。6. 权利要求5的方法，其中所述氧化物层通过等离子体氧化法形成。7. 权利要求6的方法，其中所述等离子体氧化法利用Ar与02的混 合气体来实施。8. 权利要求1的方法，其中在所述第一刻蚀过程中，所述第一导电 层的一部分被去除。9. 权利要求1的方法，其中在所述第一刻蚀过程中，所述第一保护 层被去除。10. 权利要求1的方法，其中实施所述第一刻蚀过程，使得氧化物层 刻蚀得比多晶硅更多。11. 权利要求10的方法，其中所述第一刻蚀过程包括实施干刻蚀过程。12. 权利要求11的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金守镇，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]